transistores

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET)
Los transistores de efecto de campo o FET se denominan así porque durante su funcionamiento la señal de entrada crea un campo eléctrico que controla el paso de la corriente a través del dispositivo. Estos transistores también se denominan unipolares por el hecho de que solo un tipo de portadores –electrones o huecos- interviene en su funcionamiento. Enpocas palabras, el FET basa su funcionamiento en la aplicación de un campo eléctrico para gobernar el paso de la corriente eléctrica. De esta manera el FET funciona como una fuente de corriente con tensión controlada.
Básicamente se lo puede considerar formado por un canal semiconductor dopado con alguna impureza, a los extremos de ese canal se depositan sendos conductores a los que se les aplicaráuna diferencia de potencial que acelera los electrones en un sentido determinado. A por sobre y por debajo del canal se deposita un material semiconductor de distinto tipo que el del canal y a éstos se les adosa un conductor para polarizar la unión de semiconductores en inversa. Los FET tienen la particularidad de ser de fabricación más simple y de ocupar menos espacio que los BJT.
En comparacióncon los transistores bipolares, los FET presentan una impedancia de entrada muy elevada y además consumen muy poca potencia, por lo que su uso se ha extendido sobre todo en los circuitos integrados. También encuentra aplicaciones en circuitos de alta frecuencia (microondas) dado que, según el material por el que están compuestos, tienen un tiempo de respuesta muy rápido debido a la alta movilidadde los electrones en este material.
Especialmente para sistemas integrados de muy gran escala (VLSI). Los JFET por su característica de tener muy alta resistencia de entrada y muy bajo ruido se los emplea en procesamiento de señales.
El JFET
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de juntura o unión) es un dispositivo electrónico que, según unosvalores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará una curva característica que se simplifica definiendo en ella tres zonas conecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.
Según su composición, existen dos tipos de transistores JFET, los JFET de canal N y los de canal P:
JFET de canal P: Físicamente, un JFET de los denominados "canal P" está formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitúan dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N enlas que se conectan dos terminales conectados entre sí (puerta). Al aplicar una tensión positiva VGS entre puerta y fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones (corriente ID) queda cortado, llamadas zonas de exclusión. Cuando esta VGS sobrepasa un valor determinado, las zonas de exclusión se extienden hasta tal punto que el paso de electrones ID entrefuente y drenador queda completamente cortado. A ese valor de VGS se le denomina Vp.
DIBUJO

JFET de canal N: está formado por una pastilla de semiconductor tipo N en cuyos extremos se sitúan dos contactos óhmicos, uno de ellos S denominado fuente o Surtidor y el otro D denominado drenador o sumidero. El tercer electrodo G denominado puerta, está constituido por dos regiones de tipo P difundidas aambos lados de la estructura del semiconductor. Se forma así en el contacto de puerta dos uniones p-n, las cuales están conectadas entra si y polarizadas en inverso, de forma que la corriente que pasa a través de ellas es prácticamente nula.
Al conectar un potencial positivo el drenaje con respecto al potencial de la fuente, los electrones circularan por el semiconductor en tanto haya niveles...