Transistores

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TIPOS DE ENCAPSULADO

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CARACTERISITCAS DEL TRANSISTOR

ICmax= corriente máxima del colector
VCE max= tensión máxima CE
Pmax= potencia máxima
VCE-Sat= tensión máxima desaturación
HFE = ( = ganancia

Hoja de especificaciones del transistor

Puesto que la hoja de especificaciones es el enlace de comunicación entre el fabricante y el usuario, es de particular importanciaque la información proporcionada sea reconocida y correctamente comprendida. Aunque no se han presentado todos los parámetros, un amplio número será ahora familiar. Los parámetros restantes seintroducirán en los capítulos siguientes. Se hará referencia a esta hoja de especificaciones para revisar la manera en la cual se presenta el parámetro.

La información proporcionada en la figura se hatomado directamente de la publicación Small-Signal Transistors, FETs, and Diodes preparada por Motorola Inc. La mayoría de las hojas de especificaciones se dividen en valores nominales máximos,características térmicas v características eléctricas. Las características eléctricas se subdividen además en características en estado "encendido", en estado "apagado" y de pequeña señal. Las característicasen estado activo y pasivo se refieren a los limites de cd, mientras que las características de pequeña señal incluyen los parámetros de importancia para la operación de ca.

Nótese en la lista devalores nominales máximos que vcemax = VCEO = 30 V con ICmax = 200 mA. La máxima disipación de colectora . = 625 mW. El factor de degradación bajo los valores nominales máximos especifica que el valornominal máximo debe descender 5 mW por cada grado de incremento en la temperatura sobre los 25°C. En las características durante el estado "apagado" ICBO se especifica como de 50 nA y durante el estado"encendido" VCEsat = 0.3 V. El nivel de hFE tiene un intervalo de 50 hasta 150 a una IC = 2 mA y VCE =1 V y un valor mínimo de 25 a una corriente mayor de 50 mA para el mismo voltaje.

Límites...
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