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Diodos Di d

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EL DIODO IDEAL
Símbolo Eléctrico

Curva Característica i-v

Circuitos Equivalentes

Directa
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Inversa
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MODOS DE OPERACIÓN DEL DIODO IDEAL
Usadas para limitar la corriente sobre el diodo p

Directa

Inversa

Figure 3.2 The two modes of operation of idealdiodes and the use of an external circuit to limit the forward current (a) and the reverse voltage (b).
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EL DIODO COMO RECTIFICADOR
Circuito Entrada

Modelo Equivalente Salida

El circuito se comporta como un rectificador de media onda
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EL DIODO COMO RECTIFICADOR
Por lo tanto, la función de transferencia característica v0 vs vi corresponde a: d
Voltaje a través del diodo (vD )

El diodo sólo conduce durante los ciclos positivos de vi, es decir,

vi > 0
Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith Copyright © 2004 by Oxford University Press, Inc. 5 Ejercicio
Para el circuito de carga de batería presentado, encuentre la fracción de cada ciclo en la cual el diodo conduce?

vs= 2 24sin ωt
Cuando vs= 12? vs= 24sin ωt = 12 ωt = 30º Entonces, θ = 90º- 30º = 60º Por lo tanto, la fracción en cada ciclo es 2θ = 120º.
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EL DIODO COMODISPOSITIVO LÓGICO Compuerta OR Compuerta AND

Y=A+B+C

Y=A*B*C

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ANÁLISIS DE CIRCUITOS CON DIODOS
Mecanismo Se supone el comportamiento (activa o inversa) del diodo y se verifica la consistencia de los resultados. Se pide calcular I y V para el siguiente circuito: Hay 4 opciones: 1. 1Ambos diodos conducen 2. Ningún diodo conduce 3. Solo conduce D1 4. Solo 4 S l conduce D2 d
Rta. I=0 y V=3.3 V.

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Ejercicios
Encontrar I y V para los siguientes circuitos:

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CURVA CARACTERÍSTICA DE UN DIODO Se distinguen tres regiones de operación:
• • • Forward (Activa) v>0 → Reverse (Inversa) v 0 v IS. The junction breaks down, and a voltage VZ , with the polarity indicated, develops across the junction.
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Figure 3.49 The pn junctionexcited by a constant-current source supplying a current I in the forward direction. The depletion layer narrows and the barrier voltage decreases by V volts, which appears as an external voltage in the forward direction.
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Figure 3.50 Minority-carrier distribution in aforward-biased pn junction. It is assumed that the p region is more heavily doped than the n region; NA @ ND.
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Figure 3.51 The SPICE diode model.
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Figure 3.52Equivalent-circuit model used to simulate the zener diode in SPICE. Diode D1 is ideal and can be approximated in SPICE by using a very small value for n (say n = 0.01).
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Figure 3.53 Capture schematic of the 5-V dc power supply in Example 3.10.
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