Transitores de efecto

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Son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensión. Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensión aplicada a laentrada.

Está formado por una barrita de material p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unión p-n.

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Esun componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain). Según su construcción pueden ser de canal P o de canal N. Sus símbolos son lossiguientes:

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FET de canal N

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FET de canal P
TIPOS: SEGÚN METODO DE AISLAMIENTO ENTRE CANAL Y PUERTA:

A. MOSFET:

Transistor basado en laestructura MOS. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica. Prácticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET.Consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer unacapa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.

APLICACIÓN:
• Resistencia controlada por tensión.
• Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
•Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

B. JFET:

Es un dispositivo electrónico, un circuito según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida;estos valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS.

Es un dispositivo de tres terminales, siendo una de ellascapaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos.

APLICACIÓN:

Al manejo de altas frecuencias y señales muy débiles.

C. MESFET:

Transistor de efecto de campo de juntura...