Variado

PRACTICAS DE LABORATORIO DE FÍSICA IV

PRACTICA UNO
ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE EN SEMICONDUCTORES

OBJETIVO:
Al termino de esta practica el alumno estará en condiciones de determinar las características eléctricas de dispositivos electrónicos mediante el uso de manuales.

NOCIONES TEORICAS: Los fabricantes proporcionan especificaciones y datos relativos a dispositivossemiconductores, la información se presenta generalmente en dos formas: una es una breve descripción del dispositivo al que permitirá en unas cuantas paginas, una rápida revisión de todos los dispositivos disponibles. La otra es una revisión completa de un dispositivo, incluyendo gráficas, aplicaciones, etc., que suelen aparecer como una entidad en forma separada, sin embargo hay ciertos datos que siempreaparecen en cualquiera de las dos. Las características principales que se deben tomar en cuenta son la IF máxima; corriente permisible en sentido directo, máxima tensión inversa de pico VPI en condición de polarización inversa, corriente de fuga, temperatura de operación, rapidez de conmutación, ruido, clasificación de sobretensión y la respuesta en frecuencia, así como la ganancia. MATERIALES:Manuales del fabricante y de reemplazo 2 diodos zener 2 diodos semiconductores 2 transistores 1 SCR

DESARROLLO 1. - Identifica los siguientes dispositivos semiconductores que se te dan a continuación mediante el uso de manuales del fabricante, anotando la identificación, simbología y características eléctricas de cada uno de ellos, la máxima temperatura de operación, su capacitancia, su If máxima, Vfmáxima, VPI. , etc. 2. - Busca en el manual la hoja de datos para el transistor. 3. – Compara la hoja de datos del diodo con la del transistor, a simple vista podrás notar que la hoja de datos del transistor proporciona mas información técnica, esto se debe a que el transistor es un elemento más complejo que el diodo y entre más complejo sea un elemento mas datos técnicos serán necesarios para suutilización. 4 – De la hoja de datos del transistor y del SCR anota cuando menos 6 caracteristicas y procede a investigar la importancia de dichos datos.

CUESTIONARIO:

Anote a la derecha de cada nomenclatura el significado de la misma

VF màx __________________________ IR màx __________________________ If _______________________________

Ifmàx _____________________________ Io IF____________________________ ____________________________

PRACTICA DOS VARIACION DE LA RESISTENCIA ELECTRICA DE UN SEMICONDUCTOR POR EFECTO DE LA TEMPERATURA.

OBJETIVO: El alumno comprobará el efecto que ocasiona temperatura en los dispositivos semiconductores. NOCIONES TEORICAS El Germanio y Silicio son los materiales más utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores. Los átomos deGermanio o de Silicio al combinarse entre sí forman una estructura geométrica bien definida, a este patrón se le conoce como retículo cristalino. Cada átomo tetravalente de Germanio o de Silicio comparte sus electrones de valencia por medio de enlaces covalentes, de tal manera que, ahora cada átomo tiene 8 electrones en su capa de valencia, estos ocho electrones producen en el cristal ciertogrado de estabilidad química y se puede decir que se comporta como aislante a bajas temperaturas. La temperatura ambiente provoca el rompimiento de enlaces covalentes, con lo que algunos electrones adquieren energía suficiente para circular al azar en el cristal. La salida del electrón deja un vacío en la órbita de valencia a este se le denomina hueco. Cuanta más alta sea la temperatura ambiente mayorserá la cantidad de electrones huecos libres que se generen, ocasionando que la resistencia eléctrica del semiconductor disminuya. Los semiconductores presentan un coeficiente negativo de temperatura. Los diodos presentan baja resistencia cuando se encuentran polarizados de manera directa, tal como se indica en la figura (a.) Sí la polarización es inversa presentan una alta resistencia y suelen...