Ventajas del fet

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Ventajas del FET
1) Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012 ohmios).
2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3) Los FETson más estables con la temperatura que los BJT.
4) Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar más dispositivos en un CI.
5) Los FET se comportancomo resistencias controlados por tensión para valores pequeños de tensión drenaje-fuente.
6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir suutilización como elementos de almacenamiento.
7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
Desventajas que limitan la utilización de los FET
1) Los FETpresentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.
2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.
3) Los FET se puedendañar debido a la electricidad estática.
En este apartado se estudiarán brevemente las características de ambos dispositivos orientadas principalmente a sus aplicaciones analógicas.
El transistorde efecto de campo ( FET = Field-Effect Transistor ) es un
dispositivo de tres terminales que se emplea para una amplia variedad de
aplicaciones que coinciden, en gran parte, con aquellascorrespondientes al
transistor BJT.
La diferencia principal entre las-dos clases de transistores es el hecho de
que el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el
transistorJFET es un dispositivo controlado por voltaje. En otras palabras, la
corriente Ic la es una función directa del nivel de IB. Para el FET la corriente ID
ser  una función del voltaje VGS aplicado a laentrada del circuito, en cada caso la
corriente de la salida del circuito se controla por un par metro del circuito de
entrada, en un caso un nivel de corriente y en otro un voltaje aplicado....
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