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REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA EDUCACION UNIVERSITARIA
U.P.T. DEL NORTE DE MONAGAS "LUDOVICO SILVA"
PUNTA DE MATA - ESTADO MONAGAS
ELECTRONICA, SECCION -T1


F.E.T



Profesora: Autor:
Jesús CedeñoBlanco CarmenC.I : 25.612.932








junio, 2014
Introducción

El transistor de efecto de campo fue patentado por Julius Edgar Lilienfeld en 1925 y por Oskar Heil en 1934, pero los dispositivossemiconductores fueron desarrollados en la práctica mucho después, en 1947 en los Laboratorios Bell, cuando el efecto transistor pudo ser observado y explicado. El equipo detrás de estos experimentosfue galardonado con el Premio Nobel de Física. Desde 1953 se propuso su fabricación por Van Nostrand (5 años después de los BJT). Aunque su fabricación no fue posible hasta mediados de los años 80.Lilienfeld estudió entre 1900 y 1904 en la Universidad Friedrich-Wilhelm en Berlín, Alemania. A partir de 1905 trabajó en el Instituto de Física de la Universidad de Leipzig. Allí investigó entre otrascosas sobre la producción de gases licuados.
Entre otras inventó el Condensador electrolítico en la década de 1920 y sobre 1925 el Transistor de efecto de campo, o FET (del inglés Field EffectTransistor). No hay evidencias de que llegara jamás a construirlo (en aquella época no existían aún los materiales con los que se construyen hoy en día), pero llegó a formular teóricamente sufuncionamiento con bastante precisión. Registró además algunas patentes sobre su construcción y funcionamiento. Cuando los inventores del primer transistor experimental, Walter Houser Brattain, John Bardeen y...