• Ensayo de la pelicula Despetares
    temporales de la L-dopa y su aplicación a pacientes catatónicos que sobrevivieron a la epidemia de encefalitis letárgica de 1917-1928. El Dr. Sayer (interpretado por Robin Williams) recién llegado al hospital de enfermos crónicos decide utilizar un medicamento nuevo la (L-dopa) para tratar a sus...
    2628 Palabras 11 Páginas
  • Medicina Humanitaria
    ...................49 DESCENTRALIZACIÓN ESPECIALIZADA ...................................................................50 NIVELES DE GOBIERNO Y PROCESOS DE PLANEACIÓN PARTICIPATIVA ..................74 CONSTITUCIÓN POLÍTICA, FUNCIONES Y RESPONSABILIDADES EN MATERIA DE DESARROLLO ECONÓMICO SEGÚN NIVELES...
    52011 Palabras 209 Páginas
  • Guia
    añade un pequeño porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrínseco, y se dice que está dopado. Evidentemente, las impurezas deberán formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente átomo de silicio. Hoy en dia se han...
    266 Palabras 2 Páginas
  • wdwad
    operación del proceso actual (DOP) Cuadro de resumen de diagrama de operación del proceso actual (DOP) Diagrama de operación del proceso actual (DOP) Diagrama de análisis del proceso actual (DAP) Cuadro resumen de diagrama de análisis del proceso actual (DAP) Diagrama de análisis del proceso actual (DAP) ...
    3654 Palabras 15 Páginas
  • Electronica Bipolar
    Reseña teórica: Características Físicas de los Transistores Bipolares Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo...
    1219 Palabras 5 Páginas
  • Plaza
    (03) diferencias y TRES (03) semejanzas entre un Producto-Bien y un Producto-Servicio • TRES (03) diferencias y TRES (03) semejanzas entre un DOP y un DAP 3- PROBLEMA: Una fábrica de calzado tiene un pedido (pares de zapatos) que desea cubrir operando 8 horas diarias durante 21 días; para ello...
    884 Palabras 4 Páginas
  • Concepto y evolucion de la luz
    de los elementos más usados en la industria electrónica. El silicio y el germanio. 24.-En que consiste el proceso de dopado. En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco)...
    969 Palabras 4 Páginas
  • Diseño acelerometro
    Ancho de banda: f_max=200 Hz Aceleración mínima a medir de 250 mV/(m⁄s^2 ) Diseño del sensor Para el diseño de la estructura partimos de un proceso iterativo con el fin de satisfacer las especificaciones deseadas. Una vez alcanzada una primera solución admisible acorde con las especificaciones...
    2450 Palabras 10 Páginas
  • diodos
    de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes...
    2831 Palabras 12 Páginas
  • Los semiconductores
    valencia (1). Las energías requeridas, a temperatura ambiente son de 1,12 y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente. Obviamente el proceso inverso también se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el estado energético correspondiente a la banda de conducción, a un hueco...
    2518 Palabras 11 Páginas
  • caso harvard dakota
    directivo de Dakota, DOP, oficina, está preocupado porque la empresa ha registrado las primeras pérdidas de su historia para el año 2000. DOP es un distribuidor de material de oficina a instituciones y empresas desde instrumentos para escritura, hasta material para impresoras. DOP, generalmente enviaba...
    499 Palabras 2 Páginas
  • Aislantes y Semiconductores
    intrínsecos son muy inestables, podemos convertirlos a semiconductores extrínsecos con un proceso llamado dopado o adulteración. Este proceso consiste en agregar un pequeño número de átomos de impurezas al material. El dopado produce dos tipos de semiconductores extrínsecos, identificados según el tipo de portador...
    1800 Palabras 8 Páginas
  • Dap Y Dop
    SIMBOLOS EMPLEADOS EN AMBOS DIAGRAMAS DE PROCESOS DIAGRAMA DE ANÁLISIS DE PROCESO También llamado diagrama detallado del proceso, diagrama de flujo del proceso o Curso grama analítico. El DAP, es la representación gráfica de la secuencia de todas las operaciones, transporte, inspecciones...
    343 Palabras 2 Páginas
  • ejemplo (proyecto de mejora)
    específicos 2:2 descripción de la mejora 3 : SELECCIONAR LA OPORTUNIDAD DE MEJORA …………………………….PAG.4-8 3.1 reseña histórica 3:2 caracterización del proceso 3:3 descripción del área a mejorar 3:4 documentos utilizados 3:5 encargados de almacén 3:6 lista de oportunidades lluvia de ideas 3:6 preselección ...
    1430 Palabras 6 Páginas
  • Trabajo De Innovación Y/O Mejora En Proceso De Producción O Servicios En La Empresa
    “AÑO del centenario de machupicchu para el mundo” TRABAJO DE INNOVACIÓN Y/O MEJORA EN PROCESO DE PRODUCCIÓN O SERVICIOS EN LA EMPRESA Servicio Nacional de Adiestramiento en Trabajo Industrial PROYECTO DE INNOVACIÓN LANZADOR Y RECEPTOR DE PIG EMPRESA : Depósitos Químicos...
    6358 Palabras 26 Páginas
  • Electronica
    conductividad de un semiconductor es mediante el dopado. El dopado supone que deliberadamente se añadan átomos de impurezas a un cristal intrínseco para modificar su conductividad eléctrica. Un semiconductor dopado se llama semiconductor extrínseco. En el proceso de dopado de un cristal de silicio, el primer paso...
    3807 Palabras 16 Páginas
  • Administracion de prestaciones
    se aplica a menudo a este dispositivo de tres terminales. El termino bipolar refleja el hecho de que los electrones y los huecos participan en el proceso de inyección en el material polarizado opuestamente, Si solo uno de los portadores se emplea (electron o huevo), se considera que el dispositivo es...
    2971 Palabras 12 Páginas
  • Proceso Industrial
    PROCESO INDUSTRIA Presentado Por : Valetina Fonseca B. Para: Martin Grey Grado : 8-1 C.M.A.R. Sensors based on Ag-doped α-Fe2 O3 for the detection of hydrogen sulfide Gino Picassoa ; María del Rosario Sun Koub* ; Yennyfert Aguilara ; Alcídez Lópeza ; Manuel Arrueboc a Facultad de Ciencias...
    5196 Palabras 21 Páginas
  • Conductores
    OBJETIVOS * Identificar cuáles son las principales características de los conductores y semiconductores eléctricos. * Identificar como es el dopado de un semiconductor con silicio CONDUCTOR ELECTRICO Es aquel cuerpo que puesto en contacto con un cuerpo cargado de electricidad transmite ésta...
    1524 Palabras 7 Páginas
  • Transistor
    separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones: * Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. * Base, la intermedia, muy estrecha...
    4464 Palabras 18 Páginas