03 Diodos



Universidad Abierta Interamericana

Ingeniería en Sistemas Informáticos





Electromagnetismo en Estado Sólido II
Diodos



Carrera Ingeniería en Sistemas Informáticos
Profesor Lic. Enriquecingolani / Ing. Marcos Solá
Comisión 5°B
Turno Noche
Campus Centro
Año: 2008
Alumnos: Martín Canalini
David Sorbona
Federico Schütt
Ignacio Poletti

CONTENIDOS:
La unión p-n. Zona de carga espacial.Polarización directa e inversa. Curvas características. Capacidad asociada a la unión p-n. Circuitos con diodos.

1] Indique una secuencia posible de operaciones que permita obtener un diodo como elesquematizado.

2] En el símbolo del diodo:
1.1. ¿ Qué indica la flecha?
1.2. ¿ Qué lado del mismo corresponde al SC n y cuál al p ?
3] Representar el perfil de las bandas electrónicas de energía alo largo de un diodo:
3.1. Sin polarización externa.
3.2. Polarizado en directo.
3.3. Polarizado en inversa.
4] En una unión p-n.:
4.1. ¿ Hay cargas libres en la región de carga espacial?. ¿Porqué?¿Cómo es la resistencia eléctrica de esta zona en relación al resto del diodo?
4.2. ¿Hay cargas libres en las regiones neutras? ¿Cómo es la resistencia eléctrica?
5] Se dan a continuación tresdiferentes modelos descriptivos de lo que sucede en una unión o juntura p-n en polarización directa. Redacte los equivalentes para polarización inversa.
“Tanto los electrones del lado n como los huecosdel lado p, adquieren mayor energía potencial, por lo que la altura de la barrera se reduce [en q x V] y al mismo tiempo, disminuye la anchura de la región espacial...” [Albella, Martinez – Duart.Fundamentos de electrónica...]

“El potencial positivo de la batería absorbe los electrones de los átomos adyacentes a la unión. Entonces aparecen huecos y disminuyen los iones fijos negativos de lajuntura” [ de una guía de TP de Escuela Técnica].
“El campo exterior actúa contra el interior, lo debilita o lo destruye... los electrones y huecos atraviesan libremente la juntura y la corriente...