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TRANSISTOR JFET
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) yfuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p,dependiendo de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción, respectivamente.
El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento se basa en las zonas de deplexión que rodean a cada zona P al ser polarizadas inversamente.
Cuando aumentamos la tensión en el diodo compuerta-fuente, las zonas de deplexión sehacen más grandes, lo cual hace que la corriente que va de fuente a drenaje tenga más dificultades para atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexión, cuanto mayor es la tension inversa en el diodo compuerta-fuente, menor es la corriente entre fuente y drenaje.
Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensión y no por corriente. Casi todos los electrones que pasan a través delcanal creado entre las zonas de deplexión van al drenaje, por lo que la corriente de drenaje es igual a la corriente de fuente .
§Polarización y curvas características[editar]

Polarización de un transistor JFET
Transistor Canal N[editar]

Todas las regiones

Además se cumple: 
Región de corte

Región de triodo


Entonces se puede despreciar dicho término en la ecuación quedando:

Región deestrangulamiento

Generalmente el valor de  se puede despreciar, quedando así la ecuación:

§Transistor Canal P[editar]

Todas las regiones

Además se cumple: 
Región de corte

Región de triodo


Entonces se puede despreciar dicho término en la ecuación quedando:

Región de estrangulamiento

Generalmente el valor de  se puede despreciar, quedando así la ecuación:

Modelo del transistor JFET a pequeñaseñal

En la imagen se muestra el modelo del transistor JFET trabajando a pequeña señal con corriente alterna.


Se observa que éste funciona como una fuente dependiente de corriente controlada por el voltaje compuerta-fuente. La impedancia de entrada de este dispositivo es lo suficientemente alta como para no incluirla en el modelo, a diferencia de lo que ocurre con el transistor BJT.
Para que elmodelo de pequeña señal tenga validez, debe cumplirse la siguiente condición:

Esta condición, en general es utilizada para el diseño y análisis de amplificadores, sobre todo para conocer el rango de valores en amplitud que puede soportar el amplificador en la entrada sin que haya distorsión en la señal de salida.


Curvas características de un JFET canal n
Este tipo de transistor se polariza demanera diferente al transistor bipolar. La terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).
A mayor voltaje -Vgg, más angosto es el canal y más difícil para la corriente pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensión -Vgg para la que el canal queda cerrado sellama punch-off y es diferente para cada JFET.
El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que halla cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El JFET es controlado por tensión y los cambios en tensión de la compuerta a fuente modifican la región de rarefacción (deplexión) y causan que varíe el ancho del canal.
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