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1.2.3 EL DIODO SEMICONDUCTOR


En polarización directa los electrones por desviación viajan en la zona N en la banda de conducción se recombinan con huecos en la zona de la barrerade potencial y viajan en la zona P en la banda de valencia.

CORRIENTE INVERSA: es la corriente de portadores minoritarios en polarización inversa. Tiene las siguientes componentesIO= IT+IS+ISL
CORRIENTE TRANSITORIA IT: existe durante el ensanchamiento de la barrera de potencial. Depende de la constante de tiempo del circuito externo se desprecia debajo de los10 MHZ.
CORRIENTE INVERSA DE SATURACIÓN Is: surge debido a la formación de portadores minoritarios, únicamente por la temperatura. Se duplica por cada 10% de aumento de latemperatura.
CORRIENTE SUPERFICIAL DE FUGAS: ISL: surge debido a impurezas y no completamiento de los enlaces covalentes superficiales, es proporcional a la tensión inversa.
RUPTURA POREFECTO DE AVALANCHA: incremento descontrolado de la corriente con tensión inversa superior a la normal. Debido al incremento de energía y velocidad de los portadores minoritarios quechocan con los electrones de los cristales, aportándoles energía, y creando nuevos portadores al liberarse estos; proceso que se desarrolla sucesivamente de forma no controlada.
RUPTURAPOR EFECTO ZENER: Corriente en sentido inverso por la creación de electrones libres, debido a la gran intensidad del campo eléctrico lo cual es posible en diodos construidosespecialmente para este uso, los cuales se han dopado más que los normales, y por eso la zona de deplexión es más estrecha, y la intensidad de campo eléctrico mayor, hasta 300000 V/cmDEPENDENCIA DE LA BARRERA DE POTENCIAL DE LA TEMPERATURA: Para diodos de germanio o de silicio, la barrera de potencial disminuye 2 mV por cada grado celcius que se eleve la temperatura.