161515

Kevin RiveraAndrés SipleAdelaida GariJorge Cortés
2. Que es un transistor FET El transistor FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente porun canal semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. El transistor FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, ala cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidas entre si.
3. Partes de un transistor FET Los terminales de estetipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La región que existe entre el drenador y lafuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) a Fuente (S).
4. Polarización de un transistor FET Este tipo detransistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. El terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y lacompuerta o gate se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg). A mayor voltaje -Vgg, más angosto es el canal y más difícil para la corriente pasar del terminaldrenador (drain) al terminal fuente o source. La tensión -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama "punch-off" y es diferente para cada FET
5.  El transistor dejuntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que halla cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El transistorFET es controlado por tensión y los cambios en tensión de la compuerta (gate) a fuente (Vgs) modifican la región de rarefacción y causan que varíe el ancho del canal.