1FT12012



FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA 3.3.068
EXAMEN FINAL
ALUMNO: ………………………………………………………………………………… LU: …………………………..

CARRERA: …………………………………………………………………….FECHA: 25/07/2012
NOTA: EL EXAMEN ESCRITO ES UN DOCUMENTO PÚBLICO DE GRAN IMPORTANCIA PARA LA EVALUACIÓN DE LOS CONOCIMIENTOS ADQUIRIDOS, POR LO TANTO, SE SOLICITA LEER ATENTAMENTE LOSIGUIENTE:

Responda claramente las consignas, detallando con la mayor precisión posible lo solicitado en cada ítem.
Sea prolijo y ordenado en el desarrollo de los temas.
Sea cuidadoso con la ortografía.Nota: De ser necesario emplee los siguientes valores.
Para Germanio a T=300K: ; ;
Para Silicio a T=300K: ; ;





1. Realizar los gráficos que representan las magnitudes indicadas en unsemiconductor en equilibrio térmico no uniformemente contaminado. Se partirá de un gráfico que representa la concentración de impurezas donoras en función de x. Dicha concentración varía gradualmente de formacreciente.
Las magnitudes que se desean representar son:
a- Concentración de electrones libres.
b- Densidad de cargas.
c- Campo eléctrico.
d- Potencial electrostático.
Los gráficos deberán presentarcorrespondencia del eje de abscisas.
2. Dado un cristal de germanio tipo N, con una conductividad de a una temperatura de 300 K, hallar la densidad de electrones libres y de lagunas.
3. Explique quéentiende por distribución de Fermi-Dirac. Escriba la expresión que la describe y realice un gráfico que la represente para diferentes valores de temperatura.
4. Considere la estructura MOS empleadapara el análisis conceptual de su operación. Realice los gráficos que describen su funcionamiento en Régimen de Vaciamiento, representando:
a. Densidad de cargas.
b. Campo eléctrico
c. Potencialelectrostático
d. Concentración de portadores (n y p) en escala semilogarítmica.
NOTA: Graficar para



5. Para el circuito de la figura, se pide:
a. Punto de trabajo. (emplee hFE =300)
b....