375 ELP ES 2011 Tema 03 Dispositivos Semiconductores De Estado S Lido De Conmutaci N 1
Páginas: 2 (489 palabras)
Publicado: 3 de junio de 2015
Ingeniería en
Mecatrónica
SEMICONDUCTORES
DE ESTADO SÓLIDO DE
CONMUTACIÓN DE
CORRIENTE CONTINUA
Electrónica de Potencia -JDD
Ingeniería en
Mecatrónica
BJT (Bipolar Junction Transistor) dePotencia
Electrónica de Potencia -JDD
Ingeniería en
Mecatrónica
Electrónica de Potencia -JDD
Ingeniería en
Mecatrónica
Para transistores de potencia, β toma valores pequeños (en su
mayoría no mayor a50), por lo cual se requiere una corriente
de base grande.
Electrónica de Potencia -JDD
Ingeniería en
Mecatrónica
La tensión VCE de saturación puede llegar hasta 2 V,
dependiendo de la corrientede colector.
Electrónica de Potencia -JDD
Ingeniería en
Mecatrónica
El tiempo de respuesta para cargas resistivas e inductivas es
del orden de s.
Electrónica de Potencia -JDD
Ingeniería enMecatrónica
Configuración Darlington.
Electrónica de Potencia -JDD
Ingeniería en
Mecatrónica
Debido a la multiplicación de las ganancias β1 y β2, β se
incrementa:
Electrónica de Potencia -JDD Ingeniería en
Mecatrónica
La tensión VCE de saturación puede incrementarse:
Electrónica de Potencia -JDD
Ingeniería en
Mecatrónica
El tiempo de respuesta para cargas resistivas e inductivas
siguesiendo del orden de s.
Electrónica de Potencia -JDD
Ingeniería en
Mecatrónica
MOSFET (Metal
(Metal--Oxide
Oxide--Semiconductor Field Effect
Transistor)
MOSFET
Incremental
Canal N
MOSFET
IncrementalCanal P
D
D
G
G
S
S
Los MOSFET se activan con tensión
aplicada a la compuerta.
Electrónica de Potencia -JDD
Ingeniería en
Mecatrónica
Los MOSFET se activan con tensión aplicada a lacompuerta..
compuerta
Electrónica de Potencia -JDD
Ingeniería en
Mecatrónica
Es necesario aplicar una tensión mayor a la tensión de umbral
VGS
GS((th
th)).
Electrónica de Potencia -JDD
Ingeniería enMecatrónica
La caída de tensión entre Dren y Fuente está determinada por
la resistencia RDS. Para 20 A, la caída de tensión VDS mínima
en el MOSFET MTW20N50E es aproximadamente 5.4 V.
Electrónica de...
Mecatrónica
SEMICONDUCTORES
DE ESTADO SÓLIDO DE
CONMUTACIÓN DE
CORRIENTE CONTINUA
Electrónica de Potencia -JDD
Ingeniería en
Mecatrónica
BJT (Bipolar Junction Transistor) dePotencia
Electrónica de Potencia -JDD
Ingeniería en
Mecatrónica
Electrónica de Potencia -JDD
Ingeniería en
Mecatrónica
Para transistores de potencia, β toma valores pequeños (en su
mayoría no mayor a50), por lo cual se requiere una corriente
de base grande.
Electrónica de Potencia -JDD
Ingeniería en
Mecatrónica
La tensión VCE de saturación puede llegar hasta 2 V,
dependiendo de la corrientede colector.
Electrónica de Potencia -JDD
Ingeniería en
Mecatrónica
El tiempo de respuesta para cargas resistivas e inductivas es
del orden de s.
Electrónica de Potencia -JDD
Ingeniería enMecatrónica
Configuración Darlington.
Electrónica de Potencia -JDD
Ingeniería en
Mecatrónica
Debido a la multiplicación de las ganancias β1 y β2, β se
incrementa:
Electrónica de Potencia -JDD Ingeniería en
Mecatrónica
La tensión VCE de saturación puede incrementarse:
Electrónica de Potencia -JDD
Ingeniería en
Mecatrónica
El tiempo de respuesta para cargas resistivas e inductivas
siguesiendo del orden de s.
Electrónica de Potencia -JDD
Ingeniería en
Mecatrónica
MOSFET (Metal
(Metal--Oxide
Oxide--Semiconductor Field Effect
Transistor)
MOSFET
Incremental
Canal N
MOSFET
IncrementalCanal P
D
D
G
G
S
S
Los MOSFET se activan con tensión
aplicada a la compuerta.
Electrónica de Potencia -JDD
Ingeniería en
Mecatrónica
Los MOSFET se activan con tensión aplicada a lacompuerta..
compuerta
Electrónica de Potencia -JDD
Ingeniería en
Mecatrónica
Es necesario aplicar una tensión mayor a la tensión de umbral
VGS
GS((th
th)).
Electrónica de Potencia -JDD
Ingeniería enMecatrónica
La caída de tensión entre Dren y Fuente está determinada por
la resistencia RDS. Para 20 A, la caída de tensión VDS mínima
en el MOSFET MTW20N50E es aproximadamente 5.4 V.
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