4 Ejercicios JFET

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'UEWGNC7PKXGTUKVCTKC2QNKVÃEPKECFG+PIGPKGTÈC6ÃEPKEC+PFWUVTKCN



241$.'/#5

FGVTCPUKUVQTGU('6

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','4%+%+15FGVTCPUKUVQTGU,('6

3UREOHPD

D Considerar un transistor JFET de canal n cuyo terminal de puerta (G) está unido al
terminal de fuente (S), constituyendo un dispositivo de dos terminales. Si la tensión
en el dispositivo se denomina Y, yla corriente a través de él se denomina L,
demostrar que:

L

L

ª § Y · § Y ·º
¸ ¨ ¸ »,
, '66 « ˜ ¨¨
« ©  9 S ¸¹ ¨© 9 SW ¸¹ »
¬
¼

N  9 S ˜ Y  Y 


N ˜9

S



,

'66

para ( @ Y@ 9S
para YJ 9S 

,

E Hallar el valor de la resistencia variable del dispositivo cuando el canal del
transistor JFET está estrangulado.
6ROXFLyQ E R'6 f

3UREOHPD
Se desea utilizar untransistor JFET de canal n como una resistencia controlada por
tensión cuya característica de transferencia sea prácticamente lineal, para lo cual se
aplica al dispositivo una tensión VDS pequeña. Demostrarque el valor de la resistencia
variable del dispositivo rDS es:

U

'6

9
,

§ 9
·
¨
¸
¨  ˜ . ˜9 ¸
©
¹
§ 9 ·
¨ 
¸
¨ 9 ¸
©
¹
S

'6
'

S



*6
S

Hallar el rango de valores de rDS que se obtienenvariando VGS desde 0 hasta 0.9Vp,
suponiendo que Vp=-4V e K=1mA/V2.
6ROXFLyQ N: d 5'6 d N:



3UREOHPD
En el circuito de la figura, hallar el valor de RD, RS, RG1 y RG2 de forma que elvalor de la
corriente de drenador sea ID=IDSS/2 y que la tensión en RD, RS y entre los terminales
drenador (D) y fuente (S) del dispositivo, sea la misma. Suponer que IDSS=8mA, Vp=-2V
y que la corriente através del divisor de tensión es de 1PA.
V DD = 1 5V

R G1

RD

R G2

RS

6ROXFLyQ 5' N:56 N:5* 0:5* 0:

3UREOHPD
En el circuito de la figura, hallar el valor de RD, R1y R2, de forma que VDS=6V, VA=1V,
RA=R1 // R2 = 54.5k:, teniendo en cuenta que los parámetros característicos del
transistor JFET canal n son IDSS=10mA y Vp=-3.8V, y que en el circuito VDD=15V,...