Acido

Generación de una señal AM.



Modulación se define como el proceso de superponer una señal de información de baja frecuencia (típicamente AF), sobre una señal portadora de frecuencia mas alta (generalmente RF). La señal HF se denomina portadora, y la señal LF normalmente se conoce por señal de información, pero puede denominarse señal moduladora o, simplemente señal de audio. Si variamos laamplitud de la portadora proporcionalmente a una señal de audio, tenemos la modulación de amplitud (AM). La modulación en amplitud se genera combinando la frecuencia de la señal de audio y la portadora mediante un dispositivo no lineal llamado modulador. Existen muchos circuitos diferentes para modular en amplitud una moduladora RF, por ejemplo, un diodo tiene una zona no lineal y puede utilizarsecomo modulador, pero un modulador por diodo es poco practico debido a que no proporciona ninguna ganancia. Los moduladores de amplitud mas prácticos utilizan una etapa amplificadora. Aunque algunos transistores de alta potencia aun utilizan circuitos moduladores a base de válvulas de vacío, los transistores ofrecen un funcionamiento no lineal cuando están adecuadamente polarizados, amplificando;así pues, son ideales para esta aplicación. En los moduladores-amplificadores transitorizados, la señal de audio puede introducirse en cualquiera de las tres patillas del transistor, produciendo así circuitos de modulacionde colector, modulación de base o modulación de emisor. La portadora se amplifica mientras la señal de audio varia la ganancia del circuito. Esta técnica se utiliza en lamodulación de alto y bajo nivel.

Modulación de colector



La técnica de AM mas utilizada en la modulación de colector, que vemos en la figura. Aquí, la señal moduladora se aplica al colector en serie con la tensión de alimentación cc del colector. Este tipo de circuito, un amplificador RF de clase C, amenudo se utiliza para la modulación de alto nivel. Las características de amplificación nolineal de los amplificadores de clase c ofrecen una excelente acción mezcladora. La señal moduladora se inyecta en paralelo con el colector atravez del transformador T1. La señal moduladora apoya y se opone alternativamente a la tensión del colector, y la amplitud máxima de la señal puede aproximarse a Vcc.





La portadora RF se aplica a la base Q1, que actúa como un amplificador para laportadora. Sin embargo, debido a la variación de la tensión del colector, la amplitud de salida variara al ritmo de la señal moduladora. Puesto que la señal de salida es una tensión ca, esta alternativamente en fase y desfasada con Vcc, una tensión cc. Cuando esta en fase con Vcc, es aplica un elevado potencial positivo al colector, produciendo un aumento en la corriente de colector y una señal desalida mas alta, el pico de la envolvente de modulación. Cuando esta desfasada con Vcc, se aplica un potencial positivo menor al colector, el valle de la envolvente de modulación. El transistor Q1 es un amplificador de clase C, por lo que en su salida solo aceptara impulsos de señal positivo. Para producir una forma de onda AM completa, estos impulsos se acoplan al circuito resonante formado por L4,C5 y C6.



En el circuito de la figura, no es posible un 100% de modulación debido a los efectos de saturación que impiden que la tensión de salida del transistor aumente proporcionalmente con el incremento de la tensión de colector. Para altos niveles de modulación es necesario modular un excitador y un amplificador final, como se observa en la figura de abajo. Modular el excitador ofrece unempuje adicional al amplificador final en pico positivo, permitiendo que alcance una modulación total de 100%.







Para la modulación de colector se requiere una potencia alta de la señal de modulación, igual a la mitad de la potencia de la portadora para un 100% de modulación. Sin embargo, la modulación de colector, ofrece alto rendimiento, baja distorsión y fácil ajuste de los...