acordeonista



MATERIALES DE INGENIERIA
(TALLER #2)

PRESENTADO A:
ING: BEATRIZ CARDOZO

PRESENTADO POR:
JESUS DANIEL PELUFFO ROJAS
CARLOS ARGOTE
CRISTIAN OROZCO
CURSO:

AD

UNIVERSIDAD AUTONOMA DEL CARIBE


1. ¿sería una buena elección una cabeza de martillo cerámico para golpear contra materiales duros? ¿Porque crees que hay cabezas de martillos poliméricos?
R/= esta no sería una buenaopción ya que el material cerámico es muy frágil y al golpearlo con un materia más duro el material cerámico como es frágil se rompe. Principalmente, se utilizan metales y polímeros de alta dureza para realizar las cabezas de los martillos, la forma de las cabezas dependerá de la función que se le dé al martillo, ya que esta forma variará si se trata de un martillo de herrero o un martillo decarpintero o de la persona que lo utilice.
2. para tratar de proteger el acero se reviste de una capa delgada de material cerámico para la corrosión. Que cree usted le sucederá al recubrimiento cuando la temperatura del acero aumenta de forma apreciable.
R/= hay materiales cerámico que pueden resistir altas temperaturas como los materiales refractarios si utilizamos este material para cubrir unacapa de acero el material no perderá su dureza y la capa de acero estar protegida pero si utilizamos otro cerámico pueda que este a altas temperaturas se rompa y desproteja la capa de acero.















Parámetro de red
El parámetro de red hace referencia a la distancia constante entre las celdas unitarias en una estructura cristalina. Las estructuras o redes en tresdimensiones generalmente tienen tres parámetros de red, a, b y c. Sin embargo, en el caso especial de redes cúbicas, todos los parámetros son iguales, con lo cual nos referimos a ellos como a. Del mismo modo, en las estructuras cristalinas hexagonales, los parámetros a y b son iguales, por lo que únicamente consideraremos a y c.
En el crecimiento epitaxial, el parámetro de red es una medición de lacompatibilidad estructural entre diferentes materiales.
Ya que los parámetros de red tienen dimensiones de longitud, su unidad en el sistema internacional es el metro. No obstante, suelen darse en submúltiplos como el nanómetro o el angstrom.
La coincidencia de parámetros de red es importante para hacer crecer capas finas de unos materiales sobre otros; cuando estos parámetros son diferentes se formanirregularidades en la capa y se hace imposible hacer crecer nuevas capas sin defectos.
La coincidencia de parámetros de red entre dos materiales semiconductores permite formar una región con un ancho de banda prohibida distinto sin variar la red cristalina. De este modo se construyen LEDs y diodos láser.
Por ejemplo, el GaAs, el AlGaAs y el AlAs tienen parámetros de red casi idénticos, haciendoposible crecer capas de cualquier grosor unas encima de otras.
Los parámetros de red pueden ser medidos mediante difracción por rayos X.
Parámetro BCC:

Factor de empaquetamiento
En cristalografía, el factor de empaquetamiento atómico (FEA factor, APF), es la fracción de volumen en una celda unidad que está ocupada por átomos. Este factor es adimensional y siempre menor que la unidad. Parapropósitos prácticos, el FEA de una celda unidad se determina asumiendo que los átomos son esferas rígidas. Con respecto a cristales de un componente (los que contienen un tipo de átomo único), el FEA se representa matemáticamente por:

Donde Nátomos es el número de átomos en la celda unidad, Vátomo es el volumen de un átomo, y Vcelda unidad es el volumen ocupado por la celda unidad.Matemáticamente se puede probar que, para estructuras de un componente, el valor del FEA del arreglo más denso de átomos es de alrededor de 0.74. En realidad, debido a factores intermoleculares específicos, esta cifra puede ser mayor. Referente a estructuras de componentes múltiples puede exceder el 0.74.
La celda unidad para la estructura cúbica centrada en el cuerpo, BCC, contiene dos átomos: un octavo...