Act4 leccion evaluativa fisica de semiconductores

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Supóngase para la siguientes preguntas que estamos analizando un quark dentro del protón.
Para resolver la ecuación de Schrödinger del Quark, se necesita:
Seleccione una respuesta.
a. Encontrar la función y luego chequear que esta función es elemento de los imaginarios Incorrecto
b. Encontrar la función y luego chequear que esta función es elemento de los reales c.Solamente encontrar una función que cumpla la ecuación d. Encontrar la función y luego chequear que esta función converge en el infinito Para resolver la ecuación de Schrödinger del Quark, se necesita encontrar la función y luego chequear que esta función converge en el infinito
Incorrecto
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Question 2
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Pregunta con dos respuestas:El modelo atómico de Bohr estáconstituido por un núcleo cubierto de un cumulo de nubes de electrones orbitando alrededor de él en trayectorias no completamente constantes en el tiempo. Cada electrón no tiene una trayectoria definida, pero si una región de orbitas bien definida. Dichas regiones identifican los niveles energéticos del átomo. ¿La manera para que un electrón pase de una órbita a otra más externa es?
Seleccione almenos una respuesta.
a. Absorbiendo un fotón. b. Cambiando su nivel de energía Correcto
c. Que el electrón llegue a una órbita en la que haya menos electrones que en la orbita de la que salió. Incorrecto
d. Que la cantidad de protones en el núcleo sea menor que la de electrones en la región donadora. En el modelo de bohr para que un electrón pase de una orbita a una más esterna esnecesario que absorva un fotón y de esa manera cambia su nivel de energía.
Parcialmente correcto
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Question 3
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El GAP en un semiconductor es una banda que corresponde al intervalo de energía existente entre el nivel mas bajo de la banda de conducción y el nivel más alto de la banda de valencia. Por lo tanto podemos afirmar que en un material semiconductor:Seleccione una respuesta.
a. La anchura del GAP no depende del tipo de impurezas b. La anchura del GAP es mayor si se desarrollan enlaces covalentes Incorrecto
c. La anchura del GAP es mayor si es de tipo N. d. La anchura del GAP es mayor si es extrínseco La anchura del GAP en un semiconductor no depende de las impurezas sino de los materiales.
Incorrecto
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Dos características de la Strong Forze son:
Seleccione al menos una respuesta.
a. Mantiene unidas las cargas eléctricas dentro del núcleo átomico Correcto
b. Hace que el núcleo se divida en dos para generar altos niveles de energía c. Envía las partículas portadoras al nivel de valencia. d. La intensidad de la strong forze es mayor a la de la fuerza Electromagnetica endistancias muy cortas. Correcto
La intensidad de esta fuerza es evidentemente mayor que la fuerza electromagnética. Sin embargo, existe una gran diferencia entre estas dos. La fuerza nuclear fuerte sólo puede actuar a distancias muy cortas (por ejemplo el radio de un núcleo), mientras que la interacción electromagnética tiene una distancia de acción infinita.
Correcto
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Question 5
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1. Una muestra de Berilio es bombardeada con luz en el intervalo de frecuencias entre 500THz y 1000THz. Posteriormente incide luz del intervalo entre 100PHz y 1PHz, con la misma intensidad y distribución de frecuencias que la anterior. El prefijo Tera = 1012 y el Peta = 1015
La función trabajo del Be es 5eV y posteriormente se le aplica un diferencia de potencial de10V. Recuérdese que h=4.135x10-15 eV*s.
El primer bombardeo lo llamaremos A y el segundo B
Se puede decir que:
Seleccione una respuesta.
a. En el caso B habrá más fotoelectrones libres que en el caso A Correcto
b. En el caso A habrá más fotoelectrones libres que en el caso B c. En ninguno de los casos hay fotoelectrones d. Si se eleva el voltaje se pueden conseguir más fotoelectrones En...