Actividad 1

Circuitos Digitales
Actividad 1: Resumen.
Pasos para la fabricación de circuitos integrados.
Para la fabricación de circuitos integrados se necesitaran una serie de
pasos que a continuación semencionaran con más detalle.
1.- Obleas de silicio
El primer paso será el de purificar el silicio hasta hacer crecer un solo
cristal de silicio y así poder crear la forma de un cilindro grisáceo metálico
de10 a 30cm de diámetro y con una longitud aproximada de 2 metros.
Este cilindro se cortara en pequeñas obleas de aproximadamente 400µm a
600µm de espesor. Después la superficie es pulida hasta dar elterminado
de espejo, para ello se emplean métodos químicos y mecánicos.
Las propiedades mecánicas y eléctricas de la oblea dependen de la
orientación de los cristales, la estructura, la concentraciónde impurezas y
del tipo impurezas presentes. Esas variables son estrictamente
controladas en el proceso de crecimiento del cristal. Al proceso de
agregación de impurezas al silicio se le conoce comodopaje. Esto altera
las propiedades eléctricas del silicio, en particular la resistividad.
Dependiendo del tipo de impureza este puede tener hoyos (silicio tipo p) o
electrones (silicio tipo n),dependiendo del tipo de dopaje el silicio se le
denominara comúnmente un signo de “+”para los materiales tipo p, y
para el tipo n se le designara “-“.
1.2- Oxidación
En la oxidación el silicio reacciona conel oxígeno para formar dióxido de
silicio (SiO2), para acelerar el proceso es necesario continuar haciéndolo a
altas temperaturas (1000-1200˚C), el óxido utilizado en la reacción puede
introducir gasde alta pureza (que hace referencia a la oxidación seca) o en
forma de vapor (formando oxidación húmeda). En general la oxidación
húmeda tiene una tasa de crecimiento más rápida, pero la oxidaciónseca
tiene mejores propiedades eléctricas.
1.3- Fotolitografías
URIEL QUINTERO VEGA

La superficie de la oblea es cubierta por una capa fotoresistiva llamada
fotoresistor, Después de esto un plato...