actividad 1

Páginas: 3 (596 palabras) Publicado: 30 de agosto de 2015
Circuitos
 Analógicos
 I
 
Actividad
 1
 

 
1)
  Utilizando
  las
  ecuaciones
  de
  primer
  nivel
  para
  el
  transistor
  NMOS
  operando
 
en
  la
 región
  de
  saturación,
  grafica
  las
  curvas
  de
 𝐼!"
 vs
 𝑣!"
 para
  los
  siguientes
 
valores
  de
 𝑣!" :
  0V,
  1V,
  2V,
  3V,
  4V
  y
  5V.  Por
  otro
  lado,
  considera
  los
  siguientes
 
parámetros
 para
 el
 transistor
 NMOS
 

 
𝑉!!! = 0.78𝑉
 

 
𝐾′! = 57.3 𝜇𝐴 𝑉 !
 

 
2)
 Repite
 la gráfica
 anterior
 utilizando
 un
 simulador
 SPICE
 junto
 con
 el
 modelo
 
del
 transistor
 NMOS
 que
 se
 adjunta
 en
 este
 documento.
 

 
3)
  Compara
 las
  gráficas
  anteriores
  y
  explica
  a
  que
  se
  debe
  la
  diferencia
  entre
 
dichas
 respuestas.
 

 
4)
 Repite
 los
 ejercicios
 anteriores utilizando
 un
 transistor
 PMOS.
 Por
 otro
 lado,
 
considera
 los
 siguientes
 parámetros
 para
 el
 transistor
 PMOS
 

 
𝑉!!! = −0.88𝑉
 

 
𝐾′! = −18.9 𝜇𝐴 𝑉 !
  
.MODEL CMOSN NMOS (
LEVEL = 49
+VERSION = 3.1
TNOM = 27
TOX = 1.4E-8
+XJ
= 1.5E-7
NCH = 1.7E17
VTH0 = 0.6155718
+K1
= 0.927165
K2 = -0.1083911 K3 = 22.8103193
+K3B = -9.5490578 W0 = 1.011931E-8NLX = 2.526408E-9
+DVT0W = 0
DVT1W = 0
DVT2W = 0
+DVT0 = 0.8806411 DVT1 = 0.3803297 DVT2 = -0.2060183
+U0 = 455.1710634 UA
= 1.041298E-13 UB
= 1.579609E-18
+UC = 1.13123E-11 VSAT = 1.983149E5 A0 =0.6022739
+AGS = 0.1382025
B0 = 1.831247E-6 B1 = 5E-6
+KETA = -4.902055E-3 A1 = 5.595408E-5 A2 = 0.3
+RDSW = 1.062E3
PRWG = 0.0798664 PRWB = -0.0174716
+WR
=1
WINT = 2.216754E-7 LINT = 8.043861E-8
+XL
=1E-7
XW = 0
DWG = -8.322467E-9
+DWB
= 4.618635E-8
VOFF
= -1.506501E-4
NFACTOR =
1.1555205
+CIT = 0
CDSC = 2.4E-4
CDSCD = 0
+CDSCB = 0
ETA0 = 2.035354E-3 ETAB = -4.669429E-4
+DSUB = 0.0702864
PCLM...
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