Actividad 1

UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA
CFE
ING. ELECTRICA

ACTIVIDAD 1.3
“DIODOS DE USO ESPECIAL”

ELÉCTRONICA ANALÓGICA
IV SEMESTRE
FRANCISCO ANTONIO ROMERO DOMINGUEZ

Diodo de Potencia
Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los
diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son
dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentidocontrario al de conducción. El único procedimiento de control es invertir el
voltaje entre ánodo y cátodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción,
deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de
tensión. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión
negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas.

El diodoresponde a la ecuación:

La curva característica será la que se puede ver en la parte superior, donde:
VRRM: tensión inversa máxima
VD: tensión de codo.
A continuación vamos a ir viendo las características más importantes del
diodo, las cuales podemos agrupar de la siguiente forma:
Características estáticas:
Parámetros en bloqueo (polarización inversa).
Parámetros en conducción.
Modelo estático.Características dinámicas:
Tiempo de recuperación inverso (trr).
Influencia del trr en la conmutación.
Tiempo de recuperación directo.

Potencias:
Potencia máxima disipable.
Potencia media disipada.
Potencia inversa de pico repetitivo.
Potencia inversa de pico no repetitivo.
Características térmicas.
Protección contra sobreintensidades.

Parámetros en bloqueo
Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): esla que puede ser
soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de
entrar en ruptura por avalancha.
Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser
soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma
continuada.
Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede
ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más.
Tensión de ruptura(VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez,
durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las características
del mismo.
Tensión inversa contínua (VR): es la tensión continua que soporta el
diodo en estado de bloqueo.

Parámetros en conducción
Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima
intensidad de impulsos sinusuidales de 180º que el diodo puede
soportar.
Intensidadde pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser
soportada cada 20 ms , con una duración de pico a 1 ms, a una
determinada temperatura de la cápsula (normalmente 25º).
Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de
intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duración de
10 ms.
Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo
cuando seencuentra en el estado de conducción.

Diodo túnel

El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual
se produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial
negativa en un cierto intervalo de la característica corriente-tensión.1
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como
componente activo (amplificador/oscilador).
También seconocen como diodos Esaki, en honor del hombre que
descubrió que una fuerte contaminación con impurezas podía causar un
efecto de tunelización de los portadores de carga a lo largo de la zona de
agotamiento en la unión. Una característica importante del diodo túnel es su
resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarización
directa. Cuando la resistencia es negativa, lacorriente disminuye al
aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo túnel puede funcionar como
amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo

es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran
microondas y que están relativamente libres de los efectos de la radiación.
Diodo Varicap

El diodo Varicap conocido como diodo de capacidad variable o varactor, es...