Alarma con fotocelda

Introducción

El LDR comienza a funcionar cuando hay sombra en el se apaga y eso hace que se apague el LED y con un potenciómetro de 100k podemos graduar el tiempo.

Para que se apague mas rápido o más lento usamos el Potenciómetro 500K con este podemos graduar la sensibilidad del LDR.

Objetivos

Aprender como hacer una alarma

Conocer las funciones de los capacitores

Aprender paraque sirve el Transistor 2N3904

Conocer que es una Foto Resistencia

Alarma

La alarma es esta compuesta con una foto resistencia la cual nos sirve para que se apague el LED. También usamos el 555 para que salga en pulsaciones la señal. Con el potenciómetro de 500k podemos graduar la sensibilidad la cual nos sirve para que se apague mas rápido el LED.
Los materiales son:
IC555Resistencia de 220k
LDR
Potenciómetro de 100k
Capacitor Electrolítico de 470uf
Resistencia de 10k
Transistor 2N3904
Capacitor Electrolítico de 1uf
Potenciómetro de 500k
LED
Relay
Resistencia de 22k
Capacitor Electrolítico de 100uf

Piezas que conforman la Alarma
LED: Diodo emisor de luz, también conocido como LED (acrónimo del inglés de Light-Emitting Diode) es un dispositivo semiconductor(diodo) que emite luz incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unión PN del mismo y circula por él una corriente eléctrica. Este fenómeno es una forma de electroluminiscencia. El color (longitud de onda), depende del material semiconductor empleado en la construcción del diodo y puede variar desde el ultravioleta, pasando por el visible, hasta el infrarrojo. Losdiodos emisores de luz que emiten luz ultravioleta también reciben el nombre de UV LED (UltraViolet Light-Emitting Diode) y los que emiten luz infrarroja suelen recibir la denominación de IRED (Infra-Red Emitting Diode). Fueron inventados por Oleg Lósev.
El funcionamiento físico consiste en que, en los materiales semiconductores, un electrón al pasar de la banda de conducción a la de valencia,pierde energía; esta energía perdida se puede manifestar en forma de un fotón desprendido, con una amplitud, una dirección y una fase aleatoria. El que esa energía perdida cuando pasa un electrón de la banda de conducción a la de valencia se manifieste como un fotón desprendido o como otra forma de energía (calor por ejemplo) va a depender principalmente del tipo de material semiconductor. Cuando undiodo semiconductor se polariza directamente, los huecos de la zona p se mueven hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia la zona p; ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo. Si los electrones y huecos están en la misma región, pueden recombinarse, es decir, los electrones pueden pasar a "ocupar" los huecos, "cayendo" desde un nivel energéticosuperior a otro inferior más estable. Este proceso emite con frecuencia un fotón en semiconductores de banda prohibida directa o "direct bandgap" con la energía correspondiente a su banda prohibida (véase semiconductor). Esto no quiere decir que en los demás semiconductores (semiconductores de banda prohibida indirecta o "indirect bandgap") no se produzcan emisiones en forma de fotones; sin embargo,estas emisiones son mucho más probables en los semiconductores de banda prohibida directa (como el Nitruro de Galio) que en los semiconductores de banda prohibida indirecta (como el Silicio). La emisión espontánea, por tanto, no se produce de forma notable en todos los diodos y sólo es visible en diodos como los LEDs de luz visible, que tienen una disposición constructiva especial con el propósitode evitar que la radiación sea reabsorbida por el material circundante, y una energía de la banda prohibida coincidente con la correspondiente al espectro visible. En otros diodos, la energía se libera principalmente en forma de calor, radiación infrarroja o radiación ultravioleta. En el caso de que el diodo libere la energía en forma de radiación ultravioleta, se puede conseguir aprovechar esta...