almacenamiento discos duros

Páginas: 8 (1790 palabras) Publicado: 25 de mayo de 2014
Documento de tecnología

Almacenamiento de estado sólido
Preguntas más frecuentes

¿Qué es almacenamiento de estado sólido?
El almacenamiento de estado sólido (SSS) es un método de almacenamiento de datos
creado mediante dispositivos de circuitos integrados para almacenar datos en lugar
de utilizar soportes ópticos o magnéticos móviles. El almacenamiento SSS suele ser
no volátil y puedetomar varias formas, como una unidad de estado sólido, una tarjeta
de estado sólido o un módulo de estado sólido. Además, SSS incluye opciones
de interfaz PATA (anterior), SATA, SAS, canal de fibra o PCIe.

¿Qué es una unidad de estado sólido?
Las unidades de estado sólido (SSD) utilizadas en las empresas son dispositivos
de almacenamiento de datos que utilizan tecnología de memoria flashestática en lugar
de discos magnéticos giratorios o soportes ópticos. Las unidades SSD son compatibles
con las interfaces de disco duro tradicionales, como SATA o SAS, y tienen un formato
de disco duro familiar, como 3,5; 2,5 o 1,8 pulgadas.

¿En qué se diferencia una unidad flash USB y una unidad de estado sólido?
Tanto unas como otras utilizan memoria flash NAND. No obstante, es lacalidad de la
NAND usada, así como el controlador y la interfaz, lo que diferencia una unidad flash
USB de un dispositivo de almacenamiento de clase empresarial, como los empleados
en los servidores blade y los sistemas de almacenamiento externo.

¿Qué es la memoria flash?
La memoria flash es una memoria no volátil regrabable. Al contrario que la DRAM, es
necesario borrar bloques de datos antesde poder escribir en ellos, lo que hace que
el rendimiento de escritura sea menor que el de lectura. La memoria flash sólo admite
un número finito de escrituras y el número varía según la tecnología utilizada.
La memoria flash está disponible como NAND o NOR. Los productos SSD utilizan
la memoria flash NAND porque es más duradera, menos cara, sus celdas son más
densas y las operaciones deescritura/borrado son más rápidas en comparación
con la memoria flash NOR. La memoria flash NOR está diseñada para almacenar el
código binario de programas y tiene un alto rendimiento en operaciones de lectura.

Almacenamiento de estado sólido
Preguntas más frecuentes

¿Qué es NAND?
NAND es la descripción tecnológica de la estructura de puerta que se usa para crear
una forma de memoriaflash que se pueda borrar y reprogramar de forma eléctrica.
Es no volátil, lo que significa que la información almacenada en el chip no se pierde
si no hay energía. A fecha de 2010, la mayoría del almacenamiento SSD se ha creado
a partir de memoria flash basada en NAND.

¿En se diferencian la tecnología NAND SCL y la MLC?
La memoria flash NAND usa tecnología flash de celda de único nivel(SLC, del inglés
Single-Level Cell) o de celda de varios niveles (MLC, del inglés Multi-Level Cell). NAND
SLC almacena un bit por celda y tiene una gran duración (unas 50.000 escrituras por
celda). NAND MLC utiliza dos bits por celda (por lo que ofrece una mayor capacidad)
pero se desgasta más rápido que NAND SLC (aproximadamente un décimo de la
duración de la memoria flash SLC). Las nuevasmemorias flash NAND de 3 bits por celda
(unas 1.000 escrituras permitidas) y de 4 bits por celda (algunos cientos de escrituras
permitidas) están destinadas a aplicaciones con un número muy limitado de escrituras.

¿Qué es DRAM?
Para la mayoría de los usuarios finales, DRAM es memoria; las unidades de disco duro
y las unidades NAND/SSD son almacenamiento.
La memoria dinámica de accesoaleatorio (DRAM) es un tipo de memoria de acceso
aleatorio que almacena cada bit de datos en un condensador independiente dentro
de un circuito integrado. Dado que los condensadores reales van perdiendo carga, la
información finalmente se pierde a menos que se recarguen periódicamente. Por esta
razón, es una memoria dinámica en oposición a SRAM y otras memorias estáticas.
La ventaja de DRAM es su...
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