Amplificador con MOSFET

EXPERIMENTO Nº 3
AMPLIFICADOR DRENAJE COMUN Y COMPUERTA COMÚN CON MOSFET

Angela Torres

Resumen. El objetivo de este laboratorio es determinar las características del MOSFET de enriquecimientocanal N, diseñar el circuito de polarización de un amplificador drenaje común, obtener por medición y calculo Av, Ro y Ri.

Descriptores: Canal N, Compuerta, Drenaje, Enriquecimiento, MOSFET.

1.Introducción.

En este laboratorio encontraremos dos de los amplificadores más comunes hechos con MOSFET que son el Amplificador Drenaje Común y el Amplificador Compuerta Común en donderespectivamente encontraremos los diseños hechos con las bases de los datasheet de cada uno escogiendo los parámetros de Vt y Kn, encontrando así los valores de resistencias para asegurar que nuestrosamplificadores se encuentren en la región de saturación.

2. Materiales y métodos

2.1 Materiales

Los materiales que empleamos fueron:
Multímetro Digital
Fuente de voltaje variable DCOsciloscopio de dos canales
Generador de señales
Resistores 1/2W
Condensadores no electrolíticos.
1 MOSFET 2N7000 ó Equivalente

2.2 Metodos

2.2.1 Diseño de Amplificador Drenaje Común

Usando lasespecificaciones encontradas en el datasheet del MOSFET 2N7000 determinamos los parámetros Kn=2.04mA/V2 y Vt=1.6V para asegurarnos de que nuestro amplificador, mostrado en la figura 1, trabaje en laregión de saturación usando una fuente dual de 10V.


Figura 1. Amplificador Drenaje Común
Diseñamos los valores de las resistencias del circuito de polarización dejando la carga igual a laresistencia de la compuerta fuente como se muestra en la figura 2, seleccionamos los valores comerciales y llenamos la tabla 1.

Recalculamos el punto de operacion con las resistencias comerciales paraasegurarnos de que el circuito estuviese trabajando en la región de saturación como se puede ver en la figura 3. A mano alzada trazamos la linea de carga AC, la linea de carga DC y la curva de...