Amplificador con transistor bjt

[pic]

FACULTAD DE TECNOLOGIA
COCHABAMBA - BOLIVIA

ELECTRÓNICA BÁSICA II










LABORATORIO # 1

AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BJT EN FRENCUENCIAS MEDIAS






DOCENTE: Ing. Sergio Rodríguez B.

INTEGRANTES:
Sebastian Almaraz
Maureen Arámbulo
Alvaro Calatayud

FECHA: 2 DE Marzo del 2012AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BJT EN FRENCUENCIAS MEDIAS

1. OBJETIVOS.-

• Diseñar, analizar y caracterizar circuitos amplificadores en frecuencias medias en las distintas configuraciones utilizando transistores bjt.
• Comprender los parámetros que caracterizan a cada amplificador, como ser: sus ganancias y sus impedancias.

2. MARCO TEÓRICO.-

BJT son las siglas de BipolarJunction Transistor. Es el primer transistor que se fabricó en los inicios de la electrónica de estado sólido. Existen de 2 tipos: NPN o PNP, según su construcción.
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
FUNCIONAMIENTO.-En una configuración normal, la unión emisor-base se polariza en directa y launión base-colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo compartida. En unaoperación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamenteinyectarse en la región de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta concentración cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base está dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.
La región de la baseen un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unión base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusión de los electrones.
• La configuración enEmisor Común es la más adecuada para producir la ganancia requerida en un amplificador.
• Incluir una RE adicional (sin condensador) provee varias mejoras a costa de reducir la ganancia.
• La configuración en Colector Común tiene aplicación como amortiguador del voltaje, para conectar una fuente de alta resistencia a una carga de baja resistencia y como etapa de salida de un amplificador devarias etapas.
[pic]Es aquel dispositivo electrónico que está constituido por tres materiales semiconductores extrínseco, de forma PNP o NPN, es decir, porción de material N, seguido de material P, luego otra porción de material N, en el tipo NPN, y de forma análoga en el PNP, pero con los materiales semiconductores inversos. El transistor BJT se conoce también como transistor bipolar, porque laconducción es a través de huecos y electrones. La zona central se denomina base, las otras dos se denominan colector y emisor. El emisor se construye estrecho y muy dopado, la base es estrecha y menos dopada y el colector es la zona más ancha. Para proteger el material semiconductor, se emplean el encapsulado, que puede ser plástico, de baquelita o metálico. A pesar de la poca disipación de energía...