Amplificador De 2 Etapas
FACULTAD DE INGENIERIA EN ELECTRICA Y COMPUTACION
Proyecto:
ELECTRÓNICA II
Tema:
AMPLIFICADOR DE DOS ETAPAS
Integrantes:
* CristinaPeñafiel Peñafiel
* Raúl Cayetano Carvajal
Profesor:
Ing. Gomer Rubio
Paralelo:
# 1
II TÉRMINO 2011 – 2012
Datos:
Vp=-5 V
Idss=6.5 mA
hfe=202
∆VT=600
∆VF=-4
∆VB=-155
Ganancias:∆VF=-(RD∥R3∥R4∥(re1+RE1)(β+1))1gm
∆VB=-(RC∥RL)re+RE1
ANÁLISIS PARA EL JFET
* Asumimos que RD=1.2 kΩ y Zi'=5k Ω
1gm=-RD∥Zi'∆VF=0.24 kΩ ⟹ gm=4.13 m℧
Vgs=1-gmVp2IdssVp =-2.94V
ID=IDSS1-VgsVp2=1.10 mA
* Aplicamos el criterio de diseño: VDS=13Vcc
VDS=13Vcc=Vcc-RD+RSID =8 V
⇒ RS=Vcc- VDS ID- RD=13.35 kΩ
Vg=Vgs+IDRS=VccR2R1+R2=11.74 V
⟹ R1+R2=2.04R2
⟹R1=1.04R2
* Asumimos un Zi=1M
Zi=R1∥R2
Zi=R2×R1R1+R2 → ZiR1+R2=R2×R1
⟹Zi1.04R2+R2=1.04R2×R2
⟹R2=2.04Zi1.04
⟹R2=1.96 MΩ
⟹R1=2.8 MΩ
ANÁLISIS PARA EL BJT
* Aplicamos el criterio dediseño: VB=13Vcc
VB=13Vcc=8 V
VE=VB-VBE=7.3 V
* Aplicamos el criterio de diseño: IcRC=13Vcc y asumimos que RC=18.32 kΩ
⟹Ic=Vcc3RC=0.44 mA
re=26mVIE=65Ω ; IE≅IC
* Asumimos un RL=68kΩ y utilizamos la ganancia del transistor BJT
∆VB=-RC∥RLre+RE1 ⟹RE1=-RC∥RL∆VB-re
⟹RE1=28.1Ω
IE=VERE1+RE2 ⟹ RE2=VEIE-RE1
⟹ RE2=16.55 kΩ
VB=VccR4R3+R4=8V
⟹ R3+R4=3R4
⟹ R3=2R4* Asumimos Zi'=5k Ω
Zi'=R3∥R4∥re1+RE1β+1
⟹ Zi'=12R4+1R4+1re1+RE1β+1-1
⟹ Zi'=2re1+RE1β+1R43re1+RE1β+1+R4
⟹ R4=3Zi're1+RE1β+12re1+RE1β+1-Zi'
⟹R4=10.2 kΩ
⟹R3=20.4 kΩ
Cuadro contodos los datos hallados:
R1=2.8 MΩ | R2=1.96 MΩ | RD=1.2 kΩ | RS=13.35 kΩ | R3=20.4 kΩ |
R4=10.2 kΩ | RC=18.32 kΩ | RE1=34 Ω | RE2=16.55 kΩ | RL=68 kΩ |
ANALISIS EN BAJA FRECUENCIAFrecuencia de corte: fl=200 Hz
C1=12πflC1Req1=27.68 ηf
flC1=5Hz
Req1=R1∥R2=1.15 MΩ
C2=12πflC2Req2=66.31 μf
flC2=10Hz
Req2=RS∥1gm=0.24 kΩ
C3=12πflC3Req3=1.6 μf
flC3=15Hz...
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