amplificador multietapa
Páginas: 3 (688 palabras)
Publicado: 15 de septiembre de 2013
LABORATORIO Nº1
AMPLIFICADOR MULTIETAPA
1.-Detalle las condiciones para los que un BJT y/o FET puede operar en baja frecuencia.
La ganancia del amplificador permanece casi cte. Sobre labanda de frecuencia media. Decrece a altas frecuencias donde los condensadores del modulo del transistor ya no tienen reactancias muy altas. Para amplificadores de c.a. la ganancia decrece también abajas frecuencias porque los condensadores de acoplamiento y derivación ya no tienen reactancias muy bajas.
El diseñador del amplificador suele estar particularmente interesado en la parte de banda debaja frecuencia que esta cerca del centro de la banda. Esto es porque el diseñador necesita estimar y modificar si es necesario el valor de la frecuencia inferior ωL de 3db.
Hay que resaltar que eltransistor como una condicion inherente debe de estar correctamente polarizado, y que de esta depende nuestra ganancia deseada.
2 .- Para la primera etapa Q1-Q2 del circuito en estudio, describala ecuación dIc2 /dT tal que Ic2 = f ( ICBO , VBE ) y considerando que los BJT son de silicio.
Dibujo del circuito......
Demostración :
De la figura se observa :
Sabemos las ecuacionesde corrientes en el transistor :
De (2) y (3) obtenemos:
De (2) y (5) en la ecuación (1), tenemos :
Luego multiplicando a ( 6 ) por β y de las ecuaciones (3) y (4) tenemosfinalmente la ecuación pedida (Ic2 = f ( ICBO , VBE )) :
Ahora usando derivadas parciales tenemos :
Puesto que : entonces la ecuación (8) se reduce a :
Reemplazando (9) en (10) tenemoslo siguiente:
Ahora de la ecuación de la corriente de polarización inversa en función de la temperatura :
Finalmente tenemos la ecuación pedida aplicando la regla de la cadena :3.- Fundamente las razones por los que se diseña la ganancia y otros parámetros de un amplificador independiente del hfe, hie, etc, del BJT por ejemplo.
Una de las razones mas importantes es que...
AMPLIFICADOR MULTIETAPA
1.-Detalle las condiciones para los que un BJT y/o FET puede operar en baja frecuencia.
La ganancia del amplificador permanece casi cte. Sobre labanda de frecuencia media. Decrece a altas frecuencias donde los condensadores del modulo del transistor ya no tienen reactancias muy altas. Para amplificadores de c.a. la ganancia decrece también abajas frecuencias porque los condensadores de acoplamiento y derivación ya no tienen reactancias muy bajas.
El diseñador del amplificador suele estar particularmente interesado en la parte de banda debaja frecuencia que esta cerca del centro de la banda. Esto es porque el diseñador necesita estimar y modificar si es necesario el valor de la frecuencia inferior ωL de 3db.
Hay que resaltar que eltransistor como una condicion inherente debe de estar correctamente polarizado, y que de esta depende nuestra ganancia deseada.
2 .- Para la primera etapa Q1-Q2 del circuito en estudio, describala ecuación dIc2 /dT tal que Ic2 = f ( ICBO , VBE ) y considerando que los BJT son de silicio.
Dibujo del circuito......
Demostración :
De la figura se observa :
Sabemos las ecuacionesde corrientes en el transistor :
De (2) y (3) obtenemos:
De (2) y (5) en la ecuación (1), tenemos :
Luego multiplicando a ( 6 ) por β y de las ecuaciones (3) y (4) tenemosfinalmente la ecuación pedida (Ic2 = f ( ICBO , VBE )) :
Ahora usando derivadas parciales tenemos :
Puesto que : entonces la ecuación (8) se reduce a :
Reemplazando (9) en (10) tenemoslo siguiente:
Ahora de la ecuación de la corriente de polarización inversa en función de la temperatura :
Finalmente tenemos la ecuación pedida aplicando la regla de la cadena :3.- Fundamente las razones por los que se diseña la ganancia y otros parámetros de un amplificador independiente del hfe, hie, etc, del BJT por ejemplo.
Una de las razones mas importantes es que...
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