Amplificador

PREINFORME #7
POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT POR DIVISIÓN DE TENSIÓN Y ANÁLISIS DEL TRANSISTOR EN PEQUEÑA SEÑAL

ELECTRÓNICA

REALIZADO POR:
DANIEL GUTIERREZ ROJAS
JUAN SEBASTIÁN LONDOÑOMARTÍNEZ

DOCENTE:
ING. NELSON LONDOÑO OSPINA

UNIVERSIDAD DE ANTIOQUIA

FACULTAD DE INGENIERIA
DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELÉCTRICA
19 DE NOVIEMRE DEL 2012

INTRODUCCIÓN

En lasconfiguraciones de polarización comunes en los transistores ICQ y VEQ son funciones de la ganancia β del transistor. Pero es frecuente encontrarse de que el valor real de beta por lo general, no está biendefinido y que al variar el transistor en la configuración del circuito, la respuesta de este se verá afectada por la variación en la ganancia de amplificación.
Generalmente este efecto es muy notoriodebido a que el circuito se desplazada a un nuevo punto de operación donde el valor de la corriente de colector y el voltaje colector—emisor tienen efectos indeseados en la respuesta del sistema.
Por loanteriormente expuesto deberá entonces encontrarse una configuración de polarización tal que el circuito sea menos dependiente de la ganancia de amplificación del transistor (β). La configuración quese ha escogido es la mostrada en la figura 1.1., llamada polarización por divisor de voltaje si se analiza allí sobre una base exacta la sensibilidad a os cambios de beta resultara ser muy pequeña.Figura 1.1
Si los parámetros del circuito se eligen adecuadamente, los niveles resultantes de ICQ y de VCEQ pueden ser casi totalmente independientes de beta.
Debemos tener en cuenta que el puntode operación Q esta definido por un nivel fijo ICQ y de VCEQ, tal y como se muestra en la figura 1.2. El nivel de IBQcambiara con el cambio de la ganancia de amplificación β, pero el punto deoperación definido sobre las características por ICQ y VCEQ puede permanecer fijo, esto solo depende de la escogencia de los parámetros adecuados.

Figura 1.2

OBJETIVOS
Objetivo General: Análisis...