Amplificadores Bjt Y Fet

ELECTRÓNICA I, RESÚMEN AMPLIFICADORES

Sección 1D, 5to Semestre Ingeniería Eléctrica
DOCENTE: INTEGRANTES:

Téc. Willy Viettry Arveláez Eduardo
Camacho Stephany
MedinaCarmín
Rojas Luis Gerardo


Vamos abordar el estudio del transistor de unión bipolar, y el transitor fet. El de Unión Bipolar también conocido por las iniciales de su denominación en inglesBJT (Bipolar Junction Transistor). El término bipolar hace referencia al hecho de que en la conducción de la corriente intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos). El termino junction(unión) hace referencia a la estructura del dispositivo, ya que como veremos a continuación tenemos dos uniones pn en el transistor y mediante la polarización de estas uniones conseguiremos controlarel funcionamiento del dispositivo. El transistor FET (Transistor de efecto de campo) está formado por una unión p+n o n+p. El lado más dopado corresponde a la puerta, mientras que el menos dopado esel canal.
COMPARATIVA DE LOS AMPLIFICADORES
BJT | FET |
Es controlado por corriente | Es controlado por voltaje |
Existen dos tipos npn y pnp | Existen muchos más y subcategorías |
Es bipolar,| Es unipolar |
La impedancia de entrada es mínima | Tiene alta impedancia de entrada |
Tiene mayor sensibilidad en su salida a cambios en su variable de entradaSon inestables a cambios detemperatura | Tiene menor sensibilidad respecto a su variable de entradaSon mas estables a combates en la temperatura lo cual los hace mas útiles en diseños de C.I. |

A continuación estudiaremos lasdiferentes configuraciones de los amplificadores en emisor-común (la terminal de emisor para condiciones de CA, es común a la entrada y la salida del amplificador.), base-común (baja impedancia deentrada, no presenta ganancia de corriente pero si de voltaje. Tiene propiedades útiles en altas frecuencias), colector-común (alta impedancia de entrada, ganancia de voltaje ligeramente menor a la...