Amplificadores fet y mosfet

REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA
UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL DE LA FUERZA ARMADA UNEFA
6 to SEMESTRE ING. EN TELECOMUNICACIONES
SECCIÓN: 01DI_NÚCLEO CHUAO
CÁTEDRA: ELECTRONICA I

APLICACIONES DE LOS AMPLIFICADORES FET Y MOSFET

CARACAS, FEBRERO DE 2010
EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (FET)
El transistor de efecto campo (Field-EffectTransistor o FET) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT.El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre el drenador y la fuente.
Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una tensión positiva en la puertapone al transistor en estado de conducción o no conducción, respectivamente.
TIPOS DE FET
Se consideran tres tipos principales de FET:
• FET de unión (JFET)
• FET metal óxido semiconductor de empobrecimiento (MOSFET de empobrecimiento)
• FET metal óxido semiconductor de enriquecimiento (MOSFET de enriquecimiento). Con frecuencia el MOSFET se denomina FET de compuerta aislada (IGFET,insulated-gate FET).

TRANSISTOR (FET) COMO AMPLIFICADOR
El transistor FET (Transistor de efecto de campo) se puede utilizar como elemento activo de muchos amplificadores. Una de las configuraciones es:
El Amplificador seguidor de cátodo al que se le conoce también con el nombre de circuito drenador común o ánodo común. Este tipo de amplificador tiene una baja impedancia de salida, por lo que esutilizado principalmente como adaptador de impedancias.
La salida se obtiene del resistor RS y la ganancia es aproximadamente igual a 1. Esta ganancia no es exactamente 1 debido a que existe una pequeña diferencia de tensión entre la entrada (compuerta G) y la salida (patilla fuente S): VGS.
PRINCIPALES APLICACIONES DEL FET EN LA ELECTRONICA, TELECOMUNICACIONES Y OTRAS RAMAS
Entre las principalesaplicaciones de este dispositivo tenemos:
APLICACIÓN | PRINCIPAL VENTAJA | USOS |
Aislador o separador (buffer) | Impedancia de entrada alta y de salida baja | Uso general, equipo de medida, receptores |
Amplificador de RF | Bajo ruido | Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones |
Mezclador | Baja distorsión de intermodulación | Receptores de FM y TV, equipos para comunicaciones |Amplificador con CAG | Facilidad para controlar ganancia | Receptores, generadores de señales |
Amplificador cascodo | Baja capacidad de entrada | Instrumentos de medición, equipos de prueba |
Troceador | Ausencia de deriva | Amplificadores de cc, sistemas de control de dirección |
Resistor variable por voltaje | Se controla por voltaje | Amplificadores operacionales, órganos electrónicos,controlas de tono |
Amplificador de baja frecuencia | Capacidad pequeña de acoplamiento | Audífonos para sordera, transductores inductivos |
Oscilador | Mínima variación de frecuencia | Generadores de frecuencia patrón, receptores |
Circuito MOS digital | Pequeño tamaño | Integración en gran escala, computadores, memorias |

PRINCIPALES VENTAJAS
Estos dispositivos son sensibles a latensión con alta impedancia de entrada (del orden de 107 W). Como esta impedancia de entrada es considerablemente mayor que la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada de un amplificador multietapa.
* Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
* Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensión para valores pequeños de tensión de...