Amplificadores Multietapa

Páginas: 4 (957 palabras) Publicado: 9 de mayo de 2012
taller Multiplicador multietapa electronica 2



1. Diseñe y simule un amplificador multietapa con los siguientes requisitos.
Po=15Watt
Vi=50mV
Vcc≤60volt

Solución
Se selecciona unVceq=15v

Po=(2*VceQ)ˆ28Rl
Rl=7.5Ω
Se va ha diseñar un amplificador de tres estapas estepas la primera emisor común y la segunda colector común.

* Etapa 3 Colector común
Re=Rl=7.5Ω=RdcZl=3.75Ω=Rac
Icq=Vceq/Rac=4A
Avt=15/0.05=300

Vcc=44Volt

Se escoge un transistor Tip 122 que aguanta la IcQ y Vceq requeridos.

Parámetros del transistor

Para IcQ y VceQ

Para hie y hfePara hre y hoe

Vbe1=1.563v
Vbe2=1.581v
Ic1=3.86A
Ic2=4.104A
Ib1=0.82m
Ib2=0.9m

Para hre y hfe

Vce1=14.5v
Vce2=15.5v

Vbe1=1.574v
Vbe2=1.575v

Ic1=3.987A
Ic2=4.07A

Parael β

β =4.017/=0.87m=4617

hie=Vbe2-Vbe1Ib2-Ib1

hie=225
hre=Vbe2-Vbe1Vce2-Vce1

hre=0.001
hfe=Ic2-Ic1Ib2-Ib1
hfe=3050

hoe=Ic2-Ic1Vce2-Vce1
hoe=0.083

Parámetros C.C
hic=225hrc=1 se asume
hfc=-3051
hoc=0.083

Calculado
Z1=8.95k
Rb=3.4k
Zi=2.46k

Vbb=34.5volt

R1= 4.3k
R2= 15.7k

Av=0.504
Simulación circuito

Simulación etapa 1

Simulación


Barridoen frecuencia

* Etapa 2 emisor común sin condensador de desacople
Rl=2.46k
Se asume
Av=30vot
VceQ=12v
IcQ=10mA
Se calcula
Rac=1.2k
Parámetros aproximados h del transistor untransistor 2n3904

Para IcQ y VceQ

Para hie y hfe

Vbe1=0.6861v
Vbe2=0.6908v
Ic1=9.226mA
Ic2=10.86mA
Ib1=0.055mA
Ib2=0.065mA

Para el β

β =167

hie=Vbe2-Vbe1Ib2-Ib1

hie=470hfe=Ic2-Ic1Ib2-Ib1
hfe=163.4

Vbe=0.659
Av=-hfe(Rac-Re)hie+hfeRe
Re=35.4Ω

Zl=1.16k Ω
Rc=2.2kΩ
Rac=1.2kΩ
Rdc=2.23kΩ
Vcc2=34.3vol
Rb=641.2Ω
Vbb=1.0814
R1=20.33k
R2=662.07Rx=(44-34.2)/10m=980Ω

Z1=470Ω
Zi=271.25Ω=Rl3

Amplificador etapa 2

Simulación etapa 2

Barrido en frecuencia

* 1 Etapa

Rl3=271.25Ω

Se asume
Av=21
VceQ=3v
IcQ=18mA
Se calcula
Rac=166Ω...
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