Amplificadores

PRÁCTICA # 7
CURVAS CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR BJT
OBJETIVO
Graficar la curva característica de entrada y la familia de curvas características de salida de un transistor bjt
tomando en cuentalos valores medidos
MATERIAL
[Se entiende que fuente, multímetro, cables caimán-caimán (en otras palabras el EQUIPO) y demás cosas
se nos proporcionarán en el laboratorio, pero deben llevar supropio material (cable de conexión (cablecitos),
resistencias y demás componentes,)]
Transistor 2N2222A (NPN)
1 Potenciómetro 1 MΩ
1 Resistencia 10 kΩ
1 Resistencia 1 kΩ

PROCEDIMIENTO
1. Antesque nada, identificar las terminales (emisor, base, colector) del transistor NPN 2N2222A, esto
mediante el multímetro analógico.
2. Buscar el datasheet del transistor NPN 2N2222A, verificar lasespecificaciones del fabricante y
anotar los valores correspondientes a cada parámetro indicado en la siguiente tabla.

PARÁMETRO

ICMAX (Máxima corriente de
colector)
hFE (Factor de amplificación oganancia)
VCEMAX (Máximo voltaje colectoremisor)
VBEMAX (Máximo voltaje baseemisor)
PD (Máxima potencia de disipación)

VALOR

3. Armar el siguiente circuito

R4
1k
Rv ar
R3

A

VCCQ2
2N2222A

10k

V

VBB

0

4. Completar la siguiente tabla ajustando el potenciómetro RVAR para obtener los valores de IB que se
indican.
IB (µA)

5-10

16 – 25

30 - 50

120- 200

IB Práctica
(µA)
VBE (Volts)

5. Graficar los valores obtenidos de la tabla IB (eje Y) vs VBE (eje X) correspondientes a la curva
característica de entrada del transistor NPN
6. Armarel siguiente circuito

7. Ajustar el voltaje de la fuente VCC para que el voltaje VCE tome cada uno de los valores indicados
para cada valor de IB, si es necesario ajuste el voltaje de la fuenteVBB para mantener IB constante,
anotando el valor correspondiente de IC en la tabla
VCE

IBO= 0 µA

IB1= 10 µA

IB2= 20 µA

IB3= 30 µA

IB4= 40 µA

IB5= 50 µA

(volts)

IC0 (mA)...