amplificadores

DISPOSITIVOS ACTIVOS
EN MODO DE
CONMUTACIÓN

El Transistor y el FET como Dispositivos
de Conmutación

Configuración
Vi(1)

Vcc

Rc
Vi(0)

R1
Vo

V

Saturación

Simbología
óó

Corte

=
2

1

Existe un tiempo repetitivo que puede entregar más
corriente, lo da el fabricante y es distinto de la corriente
nominal.
Lo mismo vemos para el voltaje inverso, se puedensacar o
soportar más Vinv máx , pero por tiempos pequeños.

Rc
Vo

Rc
Vcc

Rc

Vo = Vcc

Corte

Transistor como Conmutador

Vcc

Vo = 0

Vcc

Saturación

FET como Conmutador3

El Transistor y el FET como Dispositivos
de Conmutación
Animación 2

Animación 1

Zona de Saturación
Ic
S
A
T
U
R
A
C
I
O
N

Vce  0
Ic máx

Zona Activa

Zona de CorteIc0
Vce (máx.)
CORTE

Vce
4

2

El Transistor y el FET como Dispositivos
de Conmutación

Ecuación Recta
de Carga

Vcc  Ic * Rc  Vce

Vcc  Icsat * Rc

Saturación

Vce  0
5Para el diseño

Rc 

Vcc
IcSAT

La R se calcula en saturación NO en corte.

Ib sat 
Vi
1
0

IcSAT
hFE

Vo
0
Vce

R

Vi (1)  VBE SAT
I B SAT

Con Vi = 0v ( el transistornpn se corta )

6

3

AND
Vcc

Rc
R1

Ib sat

Vi

Ic
I1
I2

I L s at

I carga
Vo

R2

• R2 es necesaria para cargar el circuito, este baja la
sensibilidad y reduce elruido.
• Existe una conmutación no deseada.
• Sin R2 también actúa como conmutador, pero pueden
existir problemas (ruido).
7

Primer caso

Ib sat  I1  I 2
 Vbe

VR 2
Vi (1)

I1 

Vi(1)  Vbe sat
R1

Vi (0) = 0

Simulación

I2 

Vbe sat
R2

Para diseño me doy I1 e I2 lo más cercano posible a Ib sat.
8

4

Segundo caso

Vcc
Rc
R1

+V

Vi (1)

Vi (0)
R2-V

Vi (0)

Vbe 

Simulación

 Vi (0) * R2
R1  R2

Sirven las mismas ecuaciones del primer caso, pero se debe
verificar el estado de corte (tensión de juntura Vbe).

Tercer caso...