Analisi Y Diseño De Circuitos Integrados
ANÁLISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITALES A NIVEL FÍSICO
Autores: Almudena Lindoso Marta Portela Enrique San Millán Mario García Luis Entrena Celia López
Circuitos Integrados y Microlectrónica
íNDICE
Máscaras necesarias para la fabricación de un circuito integrado CMOS.
Layout de una puerta NAND Layout de un inversor
Reglas dediseño Ejemplos
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Circuitos Integrados y Microlectrónica
Máscaras necesarias para la fabricación de un circuito integrado CMOS
Las máscaras se utilizan para seleccionar las partes del silicio dónde se quieren aplicar los distintos procesos de las fases de fabricación. La representación gráfica de las máscaras necesarias en la fabricación de un circuito es el layout del circuito.Un layout se compone de rectángulos que representan las máscaras necesarias agrupadas por capas con las mismas características físicas (Sustratos y pozos, regiones de difusión, polisilicio, interconexiones metálicas y contactos y vias)
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Circuitos Integrados y Microlectrónica
Máscaras necesarias para la fabricación de un circuito integrado CMOS: puerta NAND
A. Rubio et al., “Diseño de circuitos y sistemas integrados” Ediciones UPC, 2003.
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Circuitos Integrados y Microlectrónica
Máscaras necesarias para la fabricación de un circuito integrado CMOS: puerta NAND
Implantación de pozos N
A. Rubio et al., “Diseño de circuitos y sistemas integrados” Ediciones UPC, 2003.
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Circuitos Integrados y Microlectrónica
Máscaras necesarias para lafabricación de un circuito integrado CMOS: puerta NAND
Implantación de pozos P
A. Rubio et al., “Diseño de circuitos y sistemas integrados” Ediciones UPC, 2003.
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Circuitos Integrados y Microlectrónica
Máscaras necesarias para la fabricación de un circuito integrado CMOS: puerta NAND
Creación de la máscara para seleccionar las áreas activas y crecimiento de oxido grueso paraaislar transistores
A. Rubio et al., “Diseño de circuitos y sistemas integrados” Ediciones UPC, 2003.
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Circuitos Integrados y Microlectrónica
Máscaras necesarias para la fabricación de un circuito integrado CMOS: puerta NAND
Formación de las puertas con polisilicio
A. Rubio et al., “Diseño de circuitos y sistemas integrados” Ediciones UPC, 2003.
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CircuitosIntegrados y Microlectrónica
Máscaras necesarias para la fabricación de un circuito integrado CMOS: puerta NAND
Implantación de dopantes N+
A. Rubio et al., “Diseño de circuitos y sistemas integrados” Ediciones UPC, 2003.
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Circuitos Integrados y Microlectrónica
Máscaras necesarias para la fabricación de un circuito integrado CMOS: puerta NAND
Implantación de dopantes P+A. Rubio et al., “Diseño de circuitos y sistemas integrados” Ediciones UPC, 2003.
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Circuitos Integrados y Microlectrónica
Máscaras necesarias para la fabricación de un circuito integrado CMOS: puerta NAND
Añadir aislante, dejando libre las zonas para realizar contactos
A. Rubio et al., “Diseño de circuitos y sistemas integrados” Ediciones UPC, 2003.
11Circuitos Integrados y Microlectrónica
Máscaras necesarias para la fabricación de un circuito integrado CMOS: puerta NAND
Metalización: primer nivel
A. Rubio et al., “Diseño de circuitos y sistemas integrados” Ediciones UPC, 2003.
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Circuitos Integrados y Microlectrónica
Máscaras necesarias para la fabricación de un circuito integrado CMOS: puerta NAND
Añadir aislantedejando libre las zonas para realizar las conexiones con otro nivel de metalización (vias)
A. Rubio et al., “Diseño de circuitos y sistemas integrados” Ediciones UPC, 2003.
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Circuitos Integrados y Microlectrónica
Máscaras necesarias para la fabricación de un circuito integrado CMOS: puerta NAND
Metalización: segundo nivel
A. Rubio et al., “Diseño de circuitos y sistemas ...
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