Analisis A Pequeña Señal De Transistores
Páginas: 3 (630 palabras)
Publicado: 13 de noviembre de 2012
ANALISIS A PEQUEÑA SEÑAL DEL TRANSISTOR BIPOLAR
INTRODUCCIÓN
Para cada configuración que se mostrara a continuación, se pretenderá examinar el efecto de la impedancia de salida como esproporcionado por el parámetro h (oe) del modelo equivalente hibrido. Para demostrar las similitudes que existen entre los modelos, se dedica una sección al análisis a pequeña señal de las redes BJT queúnicamente utilizan el modelo hibrido equivalente, cabe señalar que para este tipo de análisis no se incluye alguna resistencia de carga RL o la resistencia de la fuente RS.
CONFIGURACION DE EMISORCOMUN CON POLARIZACION FIJA
Este tipo de configuración se caracteriza por tener la siguiente configuración (figura 1.0), la cual demuestra que la corriente de entrada (Ii) no es la corriente de la base,si no la corriente de la fuente, mientras que la corriente de salida (Io) proviene del colector, también muestra que la señal de entrada Vi se aplica a la base del transistor mientras que la salidaVo esta en el colector.
Figura 1.0.- Configuración de emisor común con polarización fija.
Para llevar a cabo este tipo de análisis a pequeña señal se tiene que comenzar por eliminar losefectos de dc de Vcc y remplazar los capacitores de acoplamiento C1 y C2 mediante cortos circuitos equivalentes tal como se muestra en la figura 1.1, en la figura se muestra que la tierra común de lafuente dc y la terminal del emisor del transistor permite la reubicación tanto de Rb como de Rc en paralelo con las secciones de entrada y de salida del transistor, respectivamente. También es importantecolocar los nuevos parámetros de la red como lo son, Zi, Zo, Ii, e Io en la red que se redibujo, y esto genera el siguiente circuito (figura 1.2).
Figura 1.1.- Circuito equivalente eliminando Vcc,C1 y C2.
Figura 1.2.- Circuito equivalente de Re colocando Zo, Z1, li e lo.
Como siguiente paso se pretende calcular β, Re y Ro. La magnitud β se obtiene mediante hojas de especificaciones,...
INTRODUCCIÓN
Para cada configuración que se mostrara a continuación, se pretenderá examinar el efecto de la impedancia de salida como esproporcionado por el parámetro h (oe) del modelo equivalente hibrido. Para demostrar las similitudes que existen entre los modelos, se dedica una sección al análisis a pequeña señal de las redes BJT queúnicamente utilizan el modelo hibrido equivalente, cabe señalar que para este tipo de análisis no se incluye alguna resistencia de carga RL o la resistencia de la fuente RS.
CONFIGURACION DE EMISORCOMUN CON POLARIZACION FIJA
Este tipo de configuración se caracteriza por tener la siguiente configuración (figura 1.0), la cual demuestra que la corriente de entrada (Ii) no es la corriente de la base,si no la corriente de la fuente, mientras que la corriente de salida (Io) proviene del colector, también muestra que la señal de entrada Vi se aplica a la base del transistor mientras que la salidaVo esta en el colector.
Figura 1.0.- Configuración de emisor común con polarización fija.
Para llevar a cabo este tipo de análisis a pequeña señal se tiene que comenzar por eliminar losefectos de dc de Vcc y remplazar los capacitores de acoplamiento C1 y C2 mediante cortos circuitos equivalentes tal como se muestra en la figura 1.1, en la figura se muestra que la tierra común de lafuente dc y la terminal del emisor del transistor permite la reubicación tanto de Rb como de Rc en paralelo con las secciones de entrada y de salida del transistor, respectivamente. También es importantecolocar los nuevos parámetros de la red como lo son, Zi, Zo, Ii, e Io en la red que se redibujo, y esto genera el siguiente circuito (figura 1.2).
Figura 1.1.- Circuito equivalente eliminando Vcc,C1 y C2.
Figura 1.2.- Circuito equivalente de Re colocando Zo, Z1, li e lo.
Como siguiente paso se pretende calcular β, Re y Ro. La magnitud β se obtiene mediante hojas de especificaciones,...
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