analogica I

Introducción
El diodo está constituido básicamente por una juntura o unión de dos materiales semiconductores extrínsecos, uno tipo P y otro tipo N. Esta juntura posee la característica de permitirel paso de la corriente eléctrica en un sentido (siempre que se supere una tensión umbral) y oponerse al paso de la misma en sentido inverso.
Al conectar una fuente de alimentación a un diodoexisten, por lo tanto, dos tipos de polarizaciones:
En polarización directa el positivo de la fuente se conecta al bloque P y el negativo al N. Si la tensión aplicada supera la barrera de potencial otensión umbral del diodo (~0,65 V para el silicio y ~0,25 V para el germanio) el diodo conduce la corriente. En polarización inversa el negativo de la fuente se conecta al bloque P y el positivo al N. Enesta situación el diodo se opone al paso de la corriente eléctrica.


Objetivos:
Obtener la curva características de un diodo semiconductor como relación voltaje – corrienteMarco Teórico
Un Semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo del campo eléctrico en el que se encuentre. El elemento semiconductor más usado esel silicio
Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadoresde cargas libres (en este caso, negativas). Cuando el material dopante es añadido, éste aporta sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante estambién conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones. El propósito del dopaje tipo N es el de producir abundancia de electrones portadores en el material.
Semiconductor tipo PUn Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este...