Analogica

Practica II
Fonseca Fernando, Saldaña Joselin
Instituto Tecnológico de León
León, Gto.
Fonsekini_91@msn.com
j.os.y17@hotmail.com

I. RESUMEN
El funcionamiento del transistor de efecto decampo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequeña en comparación con la que circulapor las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, además, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el análisis y diseño de circuito.Teniendo en cuenta estos conceptos, analizaremos el circuito diseñando para esta práctica de manera teórica y práctica, donde se comprobara que son equivalentes los resultados arrojados en ambosmétodos.

II. INTRODUCCION
En la práctica anterior vimos los niveles de polarización par una configuración de un transistor de silicio se obtiene utilizando las ecuaciones de las característicasaproximadas. El vinculo entre las variables de entrada y salida lo proporciona B, cuya magnitud se supone que es una constante para el análisis que se va a realzar. El hecho de que beta sea una constanteestablece una relación lineal entre Ic e Id. La duplicación del valor de Id duplicara el valor de Ic, etc. Para el transistor de efecto de campo, la relación entre las cantidades de entrada y salida es nolineal debido al termino al cuadrado en la ecuación de Shockley. Las relaciones lineales producen líneas rectas cuando una variable se grafica contra la otra, mientras que las funciones no linealesproducen curvas como las que se obtienen para las características de un FET.

III. MARCO TEÓRICO
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia detransistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia...