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SENA
ELECTRONICA
Docente: Prof. Ing.
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA1
PRACTICA Nº 2
El Diodo. Estudio del componente
Objetivos:
1.- Comprobar el estado de un diodo semiconductor e identificar el cátodo
(zona N) y el ánodo (zona P).
2.-Realizar un circuito eléctrico con un diodo y comprobar prácticamente
su comportamiento ante la tensión y su polaridad.
3.- Comprobar la curvacaracterística Tensión-Corriente de un diodo.
Material necesario:
Esta práctica se realizará en equipos de 3 ó 4 alumnos por equipo. Cada
equipo de trabajo requiere el siguiente material:
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Un protoboard mediano.
1 fuente de alimentación.
1 resistencia de 1000 Ohms, 1/4 de watt.
1 potenciómetro de 1 K.
1 resistencia de 180 Ohms, 1/4 de watt.
1 diodo de silicio 1N4007.
1 diodo degermanio 1N34A.
1 multímetro.
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/ (catálogo de componentes electrónicos)
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SENA
Asignatura: ELECTRONICA
Docente: Prof.
I-IDENTIFICACIÓN DE LOS TERMINALES DEL DIODO
Objetivos de la práctica
Comprobar el estado de un diodo semiconductor e identificar el cátodo (zona
N) y el ánodo (zona P).
Materiales necesarios
Un multímetro analógico, un diodo de Ge “1N34A”, un diodode Si “1N4007”.
Consideraciones generales
1. Para la verificación del normal funcionamiento de un diodo se realiza una
prueba con un óhmetro, previa identificación de la polaridad de las puntas de
prueba. En sentido directo la resistencia media es del orden de 10 a 30 ; con
polarización inversa se pueden observar lecturas de 200 a 300 K para el
germanio y de varios M para elsilicio. El óhmetro ha de proporcionar
suficiente intensidad para polarizar el diodo, siendo preferible la utilización de
multímetros analógicos.
2. En el diseño de circuitos habrá que seleccionar un tipo de diodo cuya tensión
máxima aplicable en sentido inverso (VRmáx) sea mayor (del orden de tres
veces) que la máxima que se espere aplicarle en su funcionamiento.
3. El circuitoexterior debe limitar la intensidad IF, ya que ha de ser inferior a la IFmáx
indicada por el fabricante.
4. La potencia disipada por el componente es conveniente limitarla a la mitad
de la potencia nominal. Toda disipación de potencia genera calor, aumento
de temperatura, lo que provoca el aumento de la corriente inversa.
5. El diodo de germanio se utiliza en detección de bajas señales,el diodo de
silicio se utiliza en el resto de los casos.
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: ELECTRONICA
Docente: Prof. Ing.
Desarrollo de la práctica
1º) Comprobación del estado de un diodo
a-Con el multímetro preparado para medir ohmios, colocar sus puntas de prueba
sobre los extremos de un diodo y anotar el resultado de la medición.
b-Seguidamente repetir la medida, intercambiando laspuntas del multímetro,
para averiguar la resistencia directa (baja) y la resistencia inversa (alta).
c-Registrar los resultados:
Diodo 1N34A
Diodo 1N4007
Resistencia
directa
Resistencia
directa
Resistencia
inversa
Resistencia
inversa
En el caso de que, en las dos mediciones, se obtenga una resistencia baja o nula,
el diodo estará en cortocircuito (defectuoso). Si la resistencia enambas medidas
es alta, el diodo se encuentra a circuito abierto (defectuoso).
2º) Identificación de los terminales de un diodo
Normalmente, sobre la cápsula del diodo, el fabricante imprime una línea o
marca en el extremo del diodo, indica el CÁTODO tal como observamos en la
siguiente figura (encapsulado diodo 1N4007, Fairchild Semiconductor©):
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Asignatura:ELECTRONICA
Docente: Prof. Ing. Alfredo G. Rivamar
Para identificar los terminales de un diodo con el multímetro analógico, colocar
las puntas de prueba sobre sus extremos, de tal manera que la resistencia que
indique el instrumento sea baja (polarización directa).
El extremo del diodo conectado a la punta roja (por la que sale el negativo de la
pila interna del multímetro analógico) corresponde al...