Antologia lenguaje ensamblador

Compendio de exposiciones LENGUAJE ENSAMBLADOR Equipo 1 Color Negro Clasificación de Memorias Introducción: En el presente trabajo se hablara acerca de los tipos de memorias existentes como se pueden mencionar la RAM (Random Access Memory), ROM (Read Only Memory), EPROM (Erasable Read Only Memory), EEPROM (Electrically Erasable Read Only Memory), Cache entre otras. La siguiente exposición vaenfocada a las características principales de los tipos de memorias, así como sus funciones. En la siguiente diapositiva se presentara un diagrama de árbol que muestra los tipos de memorias.

Memoria de Acceso Aleatorio RAM (Random Access Memory)

Las memorias de Acceso Aleatorio son conocidas como memorias RAM de la sigla en inglés Random Access Memory.

Se caracterizan por ser memorias delectura/escritura y contienen un conjunto de variables de dirección que permiten seleccionar cualquier dirección de memoria de forma directa e independiente de la posición en la que se encuentre. Estas memorias son volátiles, es decir, que se pierde la información cuando no hay energía y se clasifican en dos categorías básicas: la RAM estática y la RAM dinámica. RAM Estática Este tipo de memoriaconocida como SRAM (Static Random Access Memory) se compone de celdas conformadas por flip-flops construidos generalmente con transistores MOSFET, aunque también existen algunas memorias pequeñas construidas con transistores bipolares. RAM dinámica Este tipo de memoria conocida como DRAM (Dynamic Random Access Memory), a diferencia de la memoria estática se compone de celdas de memoria construidas concondensadores. Las celdas de memoria son de fabricación más sencillas en comparación a las celdas a base de transistores, lo cual permite construir memorias de gran capacidad. Memorias ROM Read Only Memory Es una memoria solamente de lectura es totalmente inalterable sin esta memoria la maquina no arrancaría. La memoria principal es la convencional que va de 0 a 640 kb. Cuando la máquina arrancacomienza a trabajar el disco y realiza pruebas, para lo cual necesita memoria, esta memoria es la convencional (ROM) y está dentro del mother (en el bios). Al arrancar utiliza 300 kb, sigue probando y llega a mas o menos 540 kb donde se planta.

Memoria ROM de mascara Este tipo de ROM se caracteriza porque la información contenida en su interior se almacena durante su fabricación y no se puedealterar. El proceso de fabricación es muy caro, pero se hacen económicas con la producción de grandes cantidades. La programación se realiza mediante el diseño de un negativo fotográfico llamado máscara donde se especifican las conexiones internas de la memoria. Son ideales

para almacenar microprogramas, sistemas operativos, tablas de conversión y caracteres celda de memoria de una M-ROM , contecnologías TTL y MOS Memoria EPROM Se programan mediante un dispositivo electrónico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrónicos. Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposición a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen.Las EPROMs se reconocen fácilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a través de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado.

Memoria eeprom La memoria EEPROM es programable y borrable eléctricamente (Electrical Erasable Programmable Read Only Memory). Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdasEPROM y la diferencia básica se encuentra en la capa aislante alrededor de cada compuesta flotante, la cual es más delgada y no es fotosensible. La programación de estas memorias es similar a la programación de la EPROM, la cual se realiza por aplicación de una tensión de 21 Voltios a la compuerta aislada MOSFET de cada transistor, dejando de esta forma una carga eléctrica, que es suficiente para...