Análisis Instrumental

UNIVERSIDAD ESTATAL DE GUAYAQUIL
FACULTAD DE CIENCIAS QUIMICAS

ANALISIS INSTRUMENTAL

DOCENTE:
Dra. Marta Barba

GRUPO : # 5

INTEGRANTES:

Jorge Mosquera
Joe Robles
Suanny Vergara

CURSO:
4to “B”

Año Lectivo
2012 – 2013

INDICE

Introducción…………………………………………………………………………………………………………………….…..3

Efecto FotoLéctrico………………………………………………………………………….………………………….…..4Historia……………………………………………………………………………………………………………………………….4-5

Origen…………………………………………………………………………………………………………………………………...6

Explicacion…………………………………………………………………………………………………………………………...6

Efecto Fotoelectrico en la actualidad………………………………………………………………………...7

Conclusion……………………………………………………………………………………………………………………….…….8

Glosario……………………………………………………………………………………………………………………….……...9Bibliografia………………………………………………………………………………………………………………………...9

Estudiar y analizar los conceptos del Efecto Fotoeléctrico.

INTRODUCCIÓN

Los fotones tienen una energía característica determinada por la frecuencia de onda de la luz. Si un átomo absorbe energía de un fotón y tiene más energía que la necesaria para expulsar un electrón del material y además posee una trayectoria dirigida hacia la superficie, entonces el electrón puede serexpulsado del material. Si la energía del fotón es demasiado pequeña, el electrón es incapaz de escapar de la superficie del material. Los cambios en la intensidad de la luz no modifican la energía de sus fotones, tan sólo el número de electrones que pueden escapar de la superficie sobre la que incide y por tanto la energía de los electrones emitidos no depende de la intensidad de la radiación quele llega, sino de su frecuencia. Si el fotón es absorbido, parte de la energía se utiliza para liberarlo del átomo y el resto contribuye a dotar de energía cinética a la partícula libre.

Célula fotoeléctrica donde "1" es la fuente lumínica, "2" es el cátodo y "3", el ánodo.
En principio, todos los electrones son susceptibles de ser emitidos por efecto fotoeléctrico. En realidad los que mássalen son los que necesitan menos energía para ser expulsados y, de ellos, los más numerosos.
En un aislante (dieléctrico), los electrones más energéticos se encuentran en la banda de valencia. En un metal, los electrones más energéticos están en la banda de conducción. En un semiconductor de tipo N, son los electrones de la banda de conducción los que son más energéticos. En un semiconductor de tipoP también, pero hay muy pocos en la banda de conducción. Así que en ese tipo de semiconductor hay que tener en cuenta los electrones de la banda de valencia.
A la temperatura ambiente, los electrones más energéticos se encuentran cerca del nivel de Fermi (salvo en los semiconductores intrínsecos en los cuales no hay electrones cerca del nivel de Fermi). La energía que hay que dar a un electrónpara llevarlo desde el nivel de Fermi hasta el exterior del material se llama función trabajo, y la frecuencia mínima necesaria para que un electrón escape del metal recibe el nombre de frecuencia umbral. El valor de esa energía es muy variable y depende del material, estado cristalino y, sobre todo, de las últimas capas atómicas que recubren la superficie del material. Los metales alcalinos(sodio, calcio, cesio, etc., presentan las más bajas funciones de trabajo. Aún es necesario que las superficies estén limpias a nivel atómico. Una de la mayores dificultades en los experimentos de Millikan era que había que fabricar las superficies de metal en el vacío.
EFECTO FOTOELÉCTRICO

El efecto fotoeléctrico consiste en la emisión de electrones por un metal o fibra de carbono cuando se haceincidir sobre él una radiación electromagnética (luz visible o ultravioleta, en general). A veces se incluyen en el término otros tipos de interacción entre la luz y la materia:
Fotoconductividad: es el aumento de la conductividad eléctrica de la materia o en diodos provocada por la luz. Descubierta por Willoughby Smith en el selenio hacia la mitad del siglo XIX....