Aplicaciones Del Transistor Bjt

TRANSISTOR BJT EN CONMUTACIÓN
Francisco Javier Ortiz Ortiz
e-mail: fortizor@est.ups.edu.ec
Universidad Politécnica Salesiana, Cuenca-Ecuador
Resumen— En el siguiente informe presentamos algunas aplicaciones de los transistores BJT trabajando en corte y saturación. Aplicaremos algunos diferentes tipos de polarización y algunas de sus configuraciones mas importantes como puede ser enconfiguración monoestable, biestable y aestable.

1. INTRODUCCIÓN
Los diseños de los diferentes circuitos solicitados se fundamentan en la teoría expuesta en clases. Dependiendo de la configuración de polarización de los transistores y de sus configuraciones como multivibradores, se realizará los cálculos según lo solicitado en cada enunciado, ya sea que se necesite intervalos continuos de trabajoo accionamientos momentáneos. La utilización de elementos resistivos variables como LDR o PTC se vuelve muy necesaria en este tipo de diseños.
Es importante conocer las características de nuestros elementos de trabajo para iniciar con los cálculos de nuestros diseños.

1.1 OBJETIVES
- Design, calculate and verify the operation of these circuits using the transistor BJT in commutation:
a)Perform circuit water level indicator.
b) Perform an on-off circuit of a DC motor using an LDR.
c) Perform an automatic reverse rotation of a DC motor with a pulse for start motion and another for stopping implementing an H bridge.
d) Turn on a 110V lamp through a relay on for a transistor switch. The lamp comes on when there is no light.
e) Perform a circuit driving a motor(fan) for 3 seconds after the temperature rises. (Use NTC or PTC)

2. MARCO TEÓRICO
3.1 TRANSISTORES BJT
El transistor de unión bipolar (Bipolar Junction Transistor) es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregará por otra (emisor) , una cantidad mayor a ésta, en un factor que se llamaamplificación. Este factor se llama ß (beta) y es un dato propio de cada transistor.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
* Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a queesta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
* Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
* Colector, de extensión mucho mayor.
Transistor NPN.- Es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. Los transistores NPNconsisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector.
Transistor PNP.- El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones deltransistor. Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circuledesde el emisor hacia el colector.

3.2 FUNCIONAMIENTO DE TRANSISTORES BJT
En una configuración normal, la unión emisor-base se polariza en directa y la unión base-colector en inversa. La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil del portador minoritario del...