Aporte

Act 4: Lección Evaluativa No. 1
MICROELECTRONICA
La Microelectrónica y el siglo XX
Las técnicas de integración de circuitos se beneficiaron de los avances tecnológicos. Los procesos de implantación iónica y litografía permitieron realizar líneas de conexión en la oblea de silicio con anchuras del orden de micras. Además, el avance en las tecnologías de integración introdujeron los circuitosPMOS y CMOS, con unas características de tiempos de propagación y potencia consumida cada vez mejores. La eficiencia, velocidad y producción han mejorado continuamente en los transistores de unión y efecto de campo, a la vez que el tamaño y el costo se ha reducido considerablemente. En poco tiempo, se pasó de construir elementos discretos a sistemas integrados con más de un millón de transistores enuna sola pastilla. La evolución ha sido espectacular: así, en 1951 se fabricaron los primeros transistores discretos, en 1960 se construyeron los primeros circuitos monolíticos con 100 componentes, en 1966 estos circuitos alcanzaron 1000 componentes, en 1969 se llegó a 10000, y actualmente se están fabricando circuitos integrados con varios millones de transistores.
 
Este tipo de preguntasconsta de un enunciado, problema o contexto a partir del cual se plantean cuatro opciones numeradas de 1 a 4, el estudiante debe seleccionar la combinación de dos más opciones que responda adecuadamente a la pregunta y marcarla en la hoja de respuesta, de acuerdo con la siguiente información:El avance en las tecnologías de integración introdujeron los circuitos PMOS y CMOS, dos de sus principalescaracterísticas son:1. Menor consumo de potencia2. Menor velocidad3. Mejor tiempo de propagación4. Menos eficientes |
Su respuesta :
1 y 3 son correctas
Correcto!!
Faster, cheaper
Una consecuencia no detectada desde el principio, pero relacionada íntimamente con los procesos físicos que ocurrían en el transistor, fue que la miniaturización implicaba un aumento de velocidad del procesamiento. Enla medida que las distancias a recorrer dentro del silicio por los lentos portadores de carga eran cada vez menores, los transistores podían trabajar cada vez a mayor velocidad. En el Cuadro 2 se presenta la historia de los procesadores de Intel y alguna especulación acerca del futuro.
 
Cuadro: Evolución de los chips de Intel en sus diversas características]
chip | lanzamiento | precio |transistores | MIPS |
4004 | 11/71 | 200 | 2,3 K | 0.06 |
8008 | 4/72 | 300 | 3,5 K | 0.06 |
8080 | 4/74 | 300 | 6 K | 0.6 |
8086 | 6/78 | 360 | 29 K | 0.3 |
8088 | 6/79 | 360 | 29 K | 0.3 |
286 | 2/82 | 360 | 134 K | 0.9 |
386 | 10/85 | 299 | 275 K | 5 |
486 | 4/89 | 950 | 1,2 M | 20 |
Pentium | 3/93 | 878 | 3,1 M | 100 |
Pentium pro | 5/95 | 974 | 5,5 M | 300 |
786 ? | 1997 |1000 | 8 M | 500 |
886 ? | 2000 | 1000 | 15 M | 1.000 |
1286 ? | 2011 | ? | 1 G | 100.000 |

De acuerdo a la anterior información podemos afirmar sobre las características de evolución de los circuitos integrados que: |
Su respuesta :
Entre más pequeños más rápidos
Eso es correcto!! adelante
Fabricación de BJT Y FET
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, eninglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET, como todos los transistores, pueden plantearse como resistencias controladas por voltaje.
La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalinasemiconductora como la región activa o canal. La región activa de los TFTs (thin-film transistores, o
transistores de película fina), por otra parte, es una película que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicación de los TFTs es como pantallas de cristal líquido o LCDs).
Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction Field Effect...