APROXIMACIONES DEL DIODO SEMICONDUCTOR

Aproximaciones de un diodo.
1ª Aproximación (el diodo ideal)
La exponencial se aproxima a una vertical y una horizontal que pasan por el origen de
coordenadas. Este diodo ideal no existe en larealidad, no se puede fabricar por eso es ideal.

Polarización directa: Es como sustituir un diodo por un interruptor cerrado.

Polarización inversa: Es como sustituir el diodo por un interruptor abierto.El diodo actúa como un interruptor abriéndose o cerrándose dependiendo si está en
polarización inversa o en directa.
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EJEMPLO: En base al circuito mostrado, calcular los valores de: VD , VL , IL ,PD , PL y PT .

1ª Aproximación (IDEAL).
En polarización directa:

2ª Aproximación.
La exponencial se aproxima a una vertical y a una horizontal que pasan por 0.7 V (diodo de
silicio, si fuera degermanio se tomaría el valor de 0.3 V).

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El tramo que hay desde 0 V y 0.7 V es en realidad polarización directa, pero como a efectos
prácticos no conduce, se toma como inversa. Con esta segundaaproximación el error es
menor que en la aproximación anterior.
Polarización directa: La vertical es equivalente a una pila de 0.7 V.

Polarización inversa: Es un interruptor abierto.

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EJEMPLO: Resolverel ejemplo anterior utilizando la 2ª aproximación.
En polarización directa:

Los valores son distintos a los de la 1ª aproximación, esta segunda aproximación es menos
ideal que la anterior, por lotanto es más exacta, esto es, se parece más al valor real que
tendría ese circuito, desde el punto de vista práctico.

3ª Aproximación.
La curva del diodo se aproxima a una recta que pasa por 0.7 V ytiene una pendiente cuyo
valor es la inversa de la resistencia interna.

El estudio es muy parecido a los casos anteriores, la diferencia es cuando se analiza la
polarización directa:

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EJEMPLO:Realizar el ejemplo anterior, aplicando la 3ª aproximación, considerar un
valor óhmico de 0.23  como valor de la resistencia interna.

En la tercera aproximación los valores obtenidos respecto a la...