APUNTES DE ELECTRONICA






Universidad Autónoma del Estado de México

Facultad de Ingeniería

Ingeniería Mecánica

Electrónica




Apuntes de Electrónica

M. EN A. JUAN CARLOS PORTILLO MEDINA









Modificación: Jesús Reyes Marcial Agosto 2009



Agosto 2009
TEMARIO

UNIDAD I: ANÁLISIS DE CIRCUITOS
1.1 CONCEPTOS GENERALES
1.2 CONDUCTORES, AISLADORES Y SEMICONDUCTORES
1.3FENOMENO DE TRANSPORTE DE SEMICONDUCTORES

UNIDAD II: EL DIODO Y SUS APLICACIONES
2.1 EL DIODO IDEAL Y EL DIODO REAL
2.2 PRINCIPALES APLICACIONES DEL DIODO REAL

UNIDAD III: INTRODUCCIÓN A CIRCUITOS CON TRANSISTORES
3.1 CONCEPTOS BÁSICOS DE LOS TRANSISTORES
3.2 PRINCIPALES APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES

UNIDAD IV: INTRODUCCIÓN A LA LOGICA DEL ESTADO SÓLIDO (Investigación)
4.1 INTRODUCCIONAL ESTADO SÓLIDO
4.2 SCR Y SUS APLICACIONES
4.3 TIRISTORES

UNIDAD V: ELECTRÓNICA DIGITAL
5.1 FUNCIONES LOGICAS Y ÁLGEBRA BOLEANA
5.2 COMPUERTAS LOGICAS Y DISEÑO CON LOGICA SECUENCIAL
5.3 FAMILIAS LOGICAS

UNIDAD VI: CIRCUITOS INTEGRADOS IMPORTANTES
6.1 PRINCIPALES CIRCUITOS INTEGRADOS
6.2 MEMORIAS Y CONVERTIDORES

UNIDAD VII: OP-AMS










UNIDAD I

El términoconductor se aplica a cualquier material que soporta un flujo generoso de carga, cuando una fuente de tensión limitada se aplica a través de sus terminales.


Un conductor deja pasar la mayoría de las cargas eléctricas a través de el cuando se le aplica una diferencia de potencial.
Un aislador es un material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad cuando se le aplica una tensión en susextremos no permitiendo el paso de la corriente.
Un semiconductor, por tanto es un material que posee un nivel de conductividad sobre algún punto entre los extremos de un aislante y de un conductor, de manera inversa y relacionada con la conductividad de un material se encuentra su resistencia al flujo de la carga o corriente, esto es, mientras mas alto es el nivel de conductividad o menor sea el nivelde resistencia.
El termino resistividad (ρ) se utiliza a menudo para comparar los niveles de resistencia, en unidades métricas la resistividad de un material se mide en Ω.cm o Ω.m.
Las unidades de 1 cm. se derivan de la sustitución de las unidades para cada cantidad de la figura siguiente, describiéndose de la ecuación derivada de la ecuación básica de la resistencia que es:Las características de los materiales semiconductores pueden ser alteradas significativamente por la adición de ciertos átomos de impurezas a un material semiconductor relativamente puro. Estas impurezas, aunque solo hayan sido añadidas una parte por 10 millones puede alterar en forma suficiente la estructura del material y cambiar totalmente sus propiedades eléctricas.
Al proceso de añadirimpurezas a un material puro se le conoce como proceso de dopado. Un material semiconductor que puede ser sometido al proceso de dopado puede ser el silicio o el germanio dando como resultado un material extrínseco. Existen dos materiales extrínsecos de gran importancia para la fabricación de dispositivos semiconductores los cuales son:

Material tipo ¨n¨
Material tipo ¨p¨

Tanto el material tipo¨n¨ como el tipo ¨p¨ se forman mediante la adición de impurezas al material de germanio o silicio. El tipo ¨n¨ se crea a través de la introducción de elementos tales como el Antimonio, Arsénico y Fósforo. Para el material tipo ¨p¨ tenemos que se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de silicio introduciéndoles elementos tales como el Boro, Galio, Indio.

En el estado extrínsecoel número de electrones libre dentro del cristal se debe solo a aquellos electrones que han adquirido suficiente energía a través del proceso de dopado dejando con ellos vacantes. Las vacantes dejadas en la estructura representan una cantidad limitada de huecos. En un material tipo ¨n¨ el número de huecos no cambia de manera significativa. El resultado neto, por tanto es que el número de...