Apuntes Mosfet

Dispositivos Electrónicos

MOSFET

MOSFET (FET SEMICONDUCTOR DE OXIDO METALICO).
El MOSFET es la segunda categoría de los transistores de efecto de
campo. La diferencia con respecto al JFET es que lacompuerta del MOSFET
esta aislada del canal mediante una capa de bióxido de silicio (SiO2). Existen
dos tipos básicos mosfet de depleción-ensanchamiento (DE) y de
ensanchamiento solamente.
MOSFET dedepleción-ensanchamiento.
La siguiente figura muestra la estructura básica de los MOSFETs-DE para
canal n y p. El dren y la fuente están conectados al semiconductor que forma el
canal (n o p).ESTRUCTURAS BASICAS DEL MOSFETs DE

El

MOSFET

DE

puede

operar

en

los

modos

de

depleción

y

ensanchamiento, ya que la compuerta esta aislada del canal, puede operar con
polarización inversa odirecta entre la compuerta y fuente. Cuando opera en
modo de depleción la polarización debe de ser inversa, y cuando la
polarización es directa se estará trabajando el modo de ensanchamiento.
Modo dedepleción. Con el voltaje inverso aplicado en la compuerta,
MOSFET canal n, la carga negativa sobre la placa repele a los electrones de
conducción que existen en el canal que dando en su lugar ionespositivos. Por
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MOSFET

lo que se ve reducido la conducción en el canal. Si el voltaje aplicado es aun
mayor, el empobrecimiento en la conducción será de la misma manera, esdecir será menor la corriente que circula por el canal. Como se ilustra en la
siguiente figura.

MODO DE DEPLECION PARA UN CANAL N

El voltaje de compuerta-fuente donde el canal queda totalmentedespojado
y la corriente es 0, se le llama VGsoff.
Modo de ensanchamiento. Con una polarización de compuerta directo, se
atraen mas electrones a la conducción del canal, incrementando de esta forma
laconductividad del canal. La siguiente figura muestra este modo:

MODO DE ENSANCHAMIENTO PARA UN MOSFET CANAL N

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Sus símbolos esquemáticos se muestran en la siguiente...