ASAA

TEST 1
ELECTRONICA ANALÓGICA I
ING. BREMNEN VÉLIZ
UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA



1.- ¿Cuantos electrones de valencia hay en cada cm3 de silicio?

En el cristal de silicio hay 5·1022átomos por cm3.


2.- Porque un electrón de valencia no es un portador de corriente?

Porque el electrón forma parte de la estructura del átomo de silicio

3.- Un electrón de valencia en uncristal de silicio captura un quantum de energía de 2 eV. ¿Cuánta energía habrá de ceder a la red cristalina a través de colisiones después de cierto tiempo? Dato: Eg del silicio 1,1 eV.

Ec-Eg laenergia para que el electrón pase a la banda de conducción, por lo tanto
2eV – 1.1eV = 0.9 eV de energia.

4.- Defina que es un semiconductor extrínseca tipo N

Es el que está impurificado conimpurezas "Donadoras", que son impurezas pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo “n”, reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos seles denomina "portadores minoritarios".
Al aplicar una tensión al semiconductor de la figura, los electrones libres dentro del semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia laderecha. Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de los electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina con el hueco.

5.- Defina que es un semiconductorextrínseco tipo P

Es el que está impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas trivalentes. Como el número de huecos supera el número de electrones libres, los huecos son los portadoresmayoritarios y los electrones libres son los minoritarios.
Al aplicarse una tensión, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. En la figura, los huecosque llegan al extremo derecho del cristal se recombinan con los electrones libres del circuito externo.


6.- Cuanto sería la concentración intrínseca de un semiconductor como el silicio pero que...