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TRABAJO DE LABORATORIO N°3



Transistor Bipolar de Juntura



Alumnos: Esquef Nicolas
  Martinez Angel
Marco Andres
Ortiz Agustin
Gadea Agustin

Profesores: Daniel Rus,José Alegría, Gustavo Bongiobani

Curso:

Dia de Laboratorio: Sabado 17/05








TRABAJO DE LABORATORIO N°3

Transistor Bipolar de Juntura


INTRODUCCIÓN:

La presente guía detrabajo de laboratorio fija aspectos generales para la realización de la práctica. El alumno podrá profundizar más en cada uno de los puntos, para lo cual podrá consultar la bibliografía, ayudarse delos programas de simulación y consultar a los docentes.
Es importante haber realizado un trabajo previo de investigación y estudio, para poder aprovechar más la clase de mediciones. Con lo anterior,será posible tener ideas previas de los resultados a obtener y así, poder sacar conclusiones coherentes y poder corregir posibles errores en el momento.
Luego de la realización, se entregará uninforme, dentro de las fechas indicadas por los docentes.





OBJETIVOS:

Introducir al funcionamiento de transistores bipolares.
Medir diferentes parámetros de cada dispositivo para podercaracterizarlos.
Investigar las hojas de datos de los dispositivos y comparar los resultados de medición con los datos que allí aparecen.
A partir de puntos de polarización calcular y medir parámetros depequeña señal de los dispositivos.
Obtener herramientas básicas para el diseño de circuitos que incluyan este tipo de dispositivos.


1. Medición del Beta del transistor TBJ:

Para la medicióndel parámetro que representa la ganancia de corriente del transistor, se deberá imponer una corriente de base (conocida) y al mismo tiempo medir la corriente de colector. Dicho procedimiento serepetirá en un rango de corrientes de base a los efectos de obtener un resultado estadístico.
Para realizar la medición anterior es necesario aclarar que, a los efectos de minimizar la influencia del...