bachiller tecnico

 POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE DE TRANSISTORES EN EC
Daniel Javier Gómez Barrera
Arturo Alejandro Prieto Díaz





1. OBJETIVOS

Aplicar los conceptos vistos de transistores PNP de alimentación por divisor de voltaje.

Analizar el comportamiento de sencillos circuitos amplificadores con el uso de transistores bipolares de unión.conocer mediante un modelo matemático el valor de las resistencias para el montaje de polarización en divisor de voltaje.


2. JUSTIFICACIÓN

En la historia desde la creación del primer tríodo una especie de amplificador en 1906 que fue la base de los diodos y posteriormente de los transistores que obtuvieron su primera aplicación en 1947, este transistor de tres pines era más efectivo que losdiodos de la época y no tenía fallas por el calentamiento o disipación de calor además de ser más eficaz y con menor consumo de potencia.

Desde el siglo pasado hasta nuestros días el uso de transistores es cada vez mayor e igual a su escala de integración, por ello es necesario conocer su funcionalidad en circuitos electrónicos analógicos y saber sus configuraciones s para emplearadecuadamente sus aplicaciones. Por ello enunciamos la siguiente configuración para transistores de unión bipolar BJT en divisor de voltaje.

3. EQUIPOS Y MATERIALES
Osciloscopio
Generador de señales
Protoboard
Transistores 2N2222A, 2N3904
Condensadores de 10uF a 100uF
Resistencias de diferentes valores
Resistencia variable de 100k Ω y 10k Ω
Multímetro
Fuente de voltaje
Multímetro4. MARCO CONCEPTUAL

Polarización por divisor de voltaje con transistores BJT


La configuración de polarización por divisor es una red que cumple con tales condiciones. Si ésta se analiza sobre una base rigurosa, la sensibilidad a cambios en beta es muy pequeña. Si los parámetros del circuito son seleccionados adecuadamente, los niveles resultantes de ICQ y VCEQ llegan a ser casi totalmenteindependientes de beta. Recuerde de análisis anteriores que un punto Q se define por un nivel fijo de ICQ y VCEQ. El nivel de IBQ se alterará con cambios en beta, pero el punto de operación sobre las características definido por ICQ y VCEQ puede permanecer fijo si se emplean parámetros apropiados del circuito.


5. PROCEDIMIENTO


5.1 Diseño de la polarización de voltaje

Se consiguiola hoja de datos del transiistor 2N3904
Con las siguientes caracteristicas.



Mientras la ganancia que se obtuvo fue de 270

5.2 Implementación del circuito


Fig. 1 polarización del transistor BJT en divisor de voltaje

Se halló experimentalmente el valor de las resistencias R1,R2 asignando el valor de las resistencias RE =100 y RC= 1k Ω .También se hallaron experimentalmente losvalores de
VC, VB, VE, IC e IB.

Para hallar R2 utilizamos la ecuación del análisis aproximado β=270

βRE ≥ 10R2

R2 = 2700 Ω

Luego se hallo IC, de despejar la formula

VCE = Vcc – IC(RC+RE)

IC = Vcc -VCE
RC+RE

IC=4.7mA

Luego se halló IB = IC
β
IB = 17.6uA





IE = (β+1)IB
IE = 3.01mA

VE = IE RE
VE = 0.301vLuego se despejo VB de la formula

VE = VB –VBE
VB = VE + VBE
VB = 1.01v

Y por último se encontró la resistencia R1 de la formula

VB = R2 Vcc
R1+R2

R1 = R2 (Vcc – VB)
VB

R1 = 56605.9 Ω


Se realizó la polarización del circuito sin colocarle el generador de señales y se tomaron con el multímetro las siguientes mediciones.


VCE
IB
IC
VC
VE
VB12.3v
16.25uA
4.63mA
9.28
0.47
1.18
Tabla 1. Valores experimentales

VCE
IB
IC
VC
VE
VB
12.v
16.25uA
4.63mA
9.28
0.47
1.18
Tabla 2. Valores teóricos

Como se observa en las anteriores tablas los valores experimentales y teóricos son muy parecidos lo que quiere decir que son adecuadas las condiciones del montaje que se esta trabajando.

b) Luego se adiciono el generador de...