Bachiller

Páginas: 2 (273 palabras) Publicado: 28 de octubre de 2012
Curso: 4to
Sección: Instrumentación Nombre: _______________________
Materia: ElectrónicaSección: __________
Docente: Alberto Escalona No L. _____________
Evaluación: Remedial 1er momento (100%)

Parte I
Selección simple:señale con una x la opción correcta (1pto c/u)

1.- El silicio y el germanio son utilizados mayormente para la elaboración de semiconductores.

F __________ V __________2.- Los átomos trivalentes son aquellos cuya capa exterior constan de tres átomos libre o de valencia.

F __________ V __________

3.- Se les denomina semiconductores impuros oextrínsecos a aquellos cuales se les puede añadir átomos trivalentes o pentavalentes (impurezas)
F __________ V __________

4.- Portadores, son aquellos materiales o átomosque sufren de un déficit en su última capa para ofrecer mayor aporte de conductividad.
F __________ V __________

5.- Se le denomina polarizar al efecto de aplicar tención a uncomponente electrónico.
F __________ V __________

Parte II
De acuerdo a la siguiente extracción de la tabla periódica, construya los materiales N y P utilizados para laelaboración de semiconductores. (5 ptos)

3a 4a 5a 6a

3a (tres átomos)
4a ..
5a ..
6a (seis átomos)

Parte III
Analice la siguiente señal y calculesu voltaje pico VP, voltaje pico pico VPP, voltaje eficas Ve, periodo T, y frecuancia F, partiedo de los valores axignados en las escalas time/div y volt/div (valor 5ptos)

Volt/Div ___________Time/Div _________
Periodo _________ Vp _________ Vpp ________
Frecuencia __________

Parte IV Desarrollo (2.5 ptos c/u)

1.- Explique en que consiste la polarización inversa y directa del...
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