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1.- DIODO:
Un diodo rectificador es uno de los dispositivos de la familia de los diodos más sencillos. El nombre diodo rectificador” procede de su aplicación, la cual consiste en separar los ciclos positivos de una señal de corriente alterna.
Si se aplica al diodo una tensión de corriente alterna durante los medios ciclos positivos, se polariza en forma directa; de esta manera, permite elpaso de la corriente eléctrica.
Pero durante los medios ciclos negativos, el diodo se polariza de manera inversa; con ello, evita el paso de la corriente en tal sentido.
Durante la fabricación de los diodos rectificadores, se consideran tres factores: la frecuencia máxima en que realizan correctamente su función, la corriente máxima en que pueden conducir en sentido directo y las tensiones directae inversa máximas que soportarán.
Una de las aplicaciones clásicas de los diodos rectificadores, es en las fuentes de alimentación; aquí, convierten una señal de corriente alterna en otra de corriente directa.
LA UNION P-N:
Un dispositivo diodo es una unión P-N. Es decir, una unión de un semiconductor extrínseco de tipo P con un semiconductor extrínseco de tipo N. (A este tipo de unión se lellama homounión, por realizarse entre dos materiales de la misma naturaleza conductiva. Existen también las heterouniones, que son las que se realizan entre dos materiales de distinta naturaleza conductiva, por ejemplo la unión entre conductor y semiconductor). La unión P-N surge como consecuencia del dopado de un cristal de silicio, de forma que una mitad del cristal resulte en tipo P y la otra entipo N (o bien por la fusión de dos cristales aislados, uno de cada tipo).
 
Al formarse la unión P-N surge el diodo.
 Casi todos los diodos que se fabrican hoy en día están formados por dos tipo de silicio diferentes, unidos entre si.

Este conjunto sería del tipo N, ya que deja un electrón libre pues le sobra del enlace, con lo que el átomo (azul) se convierte en un ión positivo al mismotiempo que contribuye con la generación de un electrón libre, a este átomo lo representaremos:

En el caso del tipo P, dejaría un hueco libre, con lo que el átomo se convierte en un ión negativo al mismo tiempo que contribuye con la generación de un hueco libre, a este átomo lo representaremos:



Silicio tipo P y silicio tipo N separados.
Cuando se efectúa esta unión, loselectrones y los huecos inmediatos a la unión se atraen, cruzan la unión y se neutralizan.




Silicio tipo P y silicio tipo N unidos.- UNIÓN P-N.
Según este proceso inicial, la zona N próxima a la unión ha perdido electrones y por tanto queda cargada positivamente. Igualmente la zona P próxima a la unión ha perdido huecos, con lo que queda cargada negativamente.
Al quedarla zona N próxima a la unión cargada positivamente, rechazará a los huecos de la zona P que quieren atravesar la unión. Exactamente igual la zona P próxima a la unión impedirá el paso de los electrones provenientes de la zona N
Por tanto en la zona próxima a la unión aparece una diferencia de potencial llamada "Barrera de potencial interna", que impide el paso de portadores mayoritarios a travésde la unión, no pudiendo existir corriente.

CARACTERISTICAS TENSION-INTENSIDAD DEL DIODO:
El diodo se comporta como un corto circuito cuando está polarizado en directa y como un circuito abierto cuando está polarizado en inversa. Las curvas características tensión-intensidad del diodo explican:
Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ):
La tensión umbral (también llamada barrera depotencial) de polarización directa coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensión externa supera la tensión umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para...